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Módulo semiconductor con tarjeta adaptadora basado en tecnología IGBT. Está compuesto 3 ramas en paralelo de 2 IGBTs unidos eléctricamente (Top y Bottom) 6 IGBTs en total, sus diodos de protección y una tarjeta electrónica soldada sobre el mismo cuya función principal es garantizar el paralelizado entre las tres ramas de IGBTs. Se trata de un artículo en forma aproximada de prisma rectangular con dimensiones aproximadas de 162 mm de longitud, 150 mm de ancho y 47 mm de alto. Este artículo se utilizará como repuesto de otros equipos y está diseñado para una tensión superior a 60 voltios. Función o uso: Según declaración del solicitante este módulo por sí mismo únicamente tiene la función de conmutación.

Módulo semiconductor con tarjeta adaptadora basado en tecnología IGBT. Está compuesto 3 ramas en paralelo de 2 IGBTs unidos eléctricamente (Top y Bottom) 6 IGBTs en total, sus diodos de protección y una tarjeta electrónica soldada sobre el mismo cuya función principal es garantizar el paralelizado entre las tres ramas de IGBTs. Se trata de un artículo en forma aproximada de prisma rectangular con dimensiones aproximadas de 162 mm de longitud, 150 mm de ancho y 47 mm de alto. Este artículo se utilizará como repuesto de otros equipos y está diseñado para una tensión superior a 60 voltios. Función o uso: Según declaración del solicitante este módulo por sí mismo únicamente tiene la función de conmutación.

Módulo semiconductor basado en tecnología IGBT. Está compuesto por dos transistores IGBT unidos eléctricamente (top y bottom), dos diodos de protección y un termistor para protección ante excesos de temperatura. Se trata de un artículo en forma aproximada de prisma rectangular con un peso aproximado de 1.200 gramos. Este artículo se integrará en convertidores de potencia y está diseñado para una tensión superior a 60 voltios. Función o uso: Según declaración del solicitante este módulo por sí mismo únicamente tiene la función de conmutación.

Módulo semiconductor basado en tecnología IGBT. Está compuesto por dos transistores IGBT unidos eléctricamente (top y bottom), dos diodos de protección y un termistor para protección ante excesos de temperatura. Se trata de un artículo en forma aproximada de prisma rectangular con un peso aproximado de 1.400 gramos. Este artículo se integrará en convertidores de potencia y está diseñado para una tensión superior a 60 voltios. Función o uso: Según declaración del solicitante este módulo por sí mismo únicamente tiene la función de conmutación.

Módulo semiconductor basado en tecnología IGBT. Está compuesto por dos transistores IGBT unidos eléctricamente (top y bottom), dos diodos de protección y un termistor para protección ante excesos de temperatura. Se trata de un artículo en forma aproximada de prisma rectangular con un peso aproximado de 1.400 gramos. Este artículo se integrará en convertidores de potencia y está diseñado para una tensión superior a 60 voltios. Función o uso: Según declaración del solicitante este módulo por sí mismo únicamente tiene la función de conmutación.