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Angaben des Antragstellers: Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte Wafer aus Siliciumcarbid (SiC), welche u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Wafer werden aus zylinderförmigen Siliciumcarbidrohblöcken (sog. SiC Ingots) gefertigt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.

Angaben des Antragstellers: Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte, zylinderförmige Rohblöcke aus Siliciumcarbid (SiC), welche als Zwischenprodukt u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Blöcke werden aus sogenannten SiC Boules gefertigt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.

Angaben: SiC-Boule, dotiert (n-Typ). Es handelt sich um ein Vorprodukt zur Fertigung eines Ingots bzw. Wafers. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert: andere.

Angaben des: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate (sog. Wafer), welche mit Eisen oder Silicium dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Befund: Verschiedene Erzeugnisse der chemischen Industrie: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert: andere.

Angaben des Antragstellers: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate, welche mit Eisen oder Schwefel dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Ein Warenmuster wurde nicht vorgelegt. Gemäß den beiliegenden Datenblättern sind die Substrate auf der Oberfläche poliert. Befund: Es handelt sich um zur Verwendung in der Elektronik dotierte chemische Verbindungen im Sinne der Unterposition (KN) 3818 0090.

Angaben: Es soll sich um mit Vanadium, Aluminium (p-type) oder Stickstoff (n-type) dotierte und nicht montierte Wafer (dünne Scheiben) aus Siliciumcarbid (SiC) handeln. Die Erzeugnisse können in verschiedenen Durchmessern (76,2 mm, 100,0 mm oder 150,0 mm) vorliegen und weisen Abflachungen (flats) an den Seiten auf. Die Wafer können Dicken von 350 µm, 368 µm und 500 µm aufweisen. Die Wafer sind aus künstlich hergestellten Einkristallen entlang bestimmter kristallographischer Achsen geschnitten. Die Erzeugnisse sollen für die Epitaxie von elektronischen Bauelementen verwendet werden. Es wurde kein Warenmuster zur Begutachtung vorgelegt. Es wurde ein Foto und eine Beschreibung der Ware vorgelegt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; -andere.