Angaben des Antragstellers: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate, welche mit Eisen oder Schwefel dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Ein Warenmuster wurde nicht vorgelegt. Gemäß den beiliegenden Datenblättern sind die Substrate auf der Oberfläche poliert. Befund: Es handelt sich um zur Verwendung in der Elektronik dotierte chemische Verbindungen im Sinne der Unterposition (KN) 3818 0090.

Rechtsvorschriften: AV 1 / AV 6 Erläuterungen: ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 01.0 / ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 03.0 / ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 04.0