IGBT-Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus zwei elektrisch verschalteten Insulated Gate Bipolar Transistoren, jeweils in antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden in einem gemeinsamen Modulgehäuse mit fünf elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 1425 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung von mehr als 1 W - IGBT-Modul"

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DEBTI16849/26-1

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8541290000- Related TARIC code

Issuing country

Date of issue

Jul 16, 2026

Valid from

Jul 20, 2026

Valid until

Jul 19, 2029

Place of issue

HANNOVER

Description of goods

Classification justification

AV 1 / AV 6 Anm 12 a) 1) Kap 85 / Anm 12 Abs 2 Kap 85

Keywords

CONTAINING SILICONDIODESIGBTSEMICONDUCTOR DEVICESTRANSISTORS

DEBTI16849/26-1

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