Plasma-Ätzanlage, - aus einem zentralen Roboter-Waferhandler, vier Plasma-Ätzkammern, einer oder zwei   Ladekammern (mit automatischer Wafer-Erkennung) sowie einer automatischen Beladestation   in einem gemeinsamen Gehäuse (Abmessungen BxT: 2050 x 2350 mm), - zur Bearbeitung von Halbleiterscheiben (wafers) durch Stoffabtrag dünner Schichten mittels   Plasmastrahl (Trockenätzen) zum Herstellen von Halbleiterbauelementen (MEMS), - zur Erstellung unterschiedlicher Strukturen auf Silizium-Wafern bis zu einer Waferdicke von   350 µm und von gebondeten Silizium-Stacks bis 1,4 mm Dicke. "Maschine von der ausschließlich zum Herstellen von Halbleiterbauelementen verwendeten Art"

AV 1 / AV 6 Anm 11 D) Kap 84