IGBT-Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus miteinander elektrisch verschalteten Insulated Gate Bipolar Transistoren     in Chipform, jeweils in antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden in einem    gemeinsamen Modulgehäuse mit drei bzw. sechs elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 775 bis 12500 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlust-   leistung von mehr als 1 W"

AV 1 / AV 6 Anm 12 a) 1) Kap 85 / Anm 12 Abs 2 Kap 85