IGBT-Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus mehreren Insulated Gate Bipolar Transistoren, jeweils in antiparalleler Schaltung mit Freilaufdiode in einem gemeinsamen sowie einer zusätzlichen Diode zur Temperaturmessung in einem Modulgehäuse mit elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 1.000 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung von mehr als 1 W - IGBT-Modul"

Description of goods

DEBTI49341/25-1

Active

85412900- Related TARIC code

Issuing country

Date of issue

Feb 25, 2026

Valid from

Mar 2, 2026

Valid until

Mar 1, 2029

Place of issue

HANNOVER

Description of goods

Classification justification

AV 1 / AV 6 Anm 12 a) 1) Kap 85 / Anm 12 Abs 2 Kap 85

Keywords

CONTAINING SILICONDIODESIGBTSEMICONDUCTOR DEVICESTRANSISTORS

DEBTI49341/25-1

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