Módulo semiconductor basado en tecnología IGBT. Está compuesto por dos transistores IGBT unidos eléctricamente (top y bottom), dos diodos de protección y un termistor para protección ante excesos de temperatura. Se trata de un artículo en forma aproximada de prisma rectangular con un peso aproximado de 1.250 gramos. Este artículo se integrará en convertidores de potencia y está diseñado para una tensión superior a 1.000 voltios. Función y uso: Según declaración del solicitante este módulo por sí mismo únicamente tiene la función de conmutación.

RGI 1 y 6, y texto de los códigos de NC 8535 y 8535 90 00. Nota 2 a) de la Sección XVI. Se descarta su clasificación en la partida 8541 propuesta por el solicitante como transistor porque este artículo además de los diodos de protección incorpora un termistor. Véanse las NESA para la partida 8541 apartado A párrafo II número 3: “Los transistores bipolares de puerta aislada () Los dispositivos IGBT pueden combinarse con diodos en un solo bloque (llamado bloque IGBT), que lo protegen y le permiten continuar funcionando como transistor.”