Module mémoire SRAM, mémoire statique à accès aléatoire, fonctionnant à haute vitesse (technologie brevetée MCM-V) et hautement intégrée de 20 Mbit (organisation 512Kx40, avec une base en 256Kx16, contenant des composants commerciaux SRAM 3.3 V Renesas Réf R1RW0416), à temps d’accès rapide (12 ns), immunisé contre les SEL, entrées et sorties compatibles TTL, sorties à 3 états, disponible sous différentes plages de températures et avec option de blindage pour applications hautes fiabilité (spatial…), conditionné dans un SOP de 84 broches et fonctionnant sous une alimentation électrique de 3,3 V, conçu pour les applications de circuits à haute vitesse et bien adapté aux applications de systèmes à haute fiabilité, à haute performance et à haute densité telles que les systèmes de gestion de l’information, dans des cartes calculateur pour applications spatiales.

Règles générales 1 et 6 : le classement est déterminé par les notes de section et de chapitre, ainsi que par le libellé de position, de sous-position et de code NC. Note 9 b) du Chapitre 85 concernant les circuits intégrés. NESH de la position 8542 Circuits intégrés électroniques : "Les circuits intégrés électroniques comprennent les mémoires dont les SRAM (mémoire RAM statique)".