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Gehäuse - aus unedlem Metall, ringähnliche Form mit Bohrungen und hebelartiger Vorrichtung, nach technischer Zeichnung spezifisch gefertigt, Flanschanschluss PN 10, PN 16, - zur Montage in Absperrklappen als form- und funktionsspezifisches Bauelement. "Teil, erkennbar ausschließlich für Absperrklappen bestimmt, nicht für bestimmte Luftfahr- zeuge - Gehäuse"

IGBT-Modul  (Abbildung siehe Anlage), - aus zwei elektrisch verschalteten Insulated Gate Bipolar Transistoren,    jeweils in antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden in einem gemeinsamen    Modulgehäuse mit fünf elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 1425 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W - IGBT-Modul"

IGBT(Abbildung siehe Anlage), - in Form eines einzelnen IGB-Transistors in Chipform, - mit einer Verlustleistung von bis zu 440 Watt, - zur Verwendung mit IGBT-Modulen bestimmt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W"

Laserdiode (Abbildung zeigt nur koaxialen Gehäusetyp), - in Form eines Einzelelements in einem koaxialen Gehäuse mit drei   Pin-Anschlüssen sowie konfektioniertem Lichtwellenleiter (Faser-   Pigtail) oder einem TO-18- Gehäuse mit drei Pin-Anschlüssen, - keine Elemente für die Stromversorgung oder -regelung enthaltend. "Leuchtdiode (LED) - Laserdiode"

SiC - Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus miteinander elektrisch verschalteten Silizium-Carbid-Transistoren und   Schutzdioden in einem gemeinsamen Modulgehäuse mit elektrischen   Anschlüssen sowie passiver Wasserkühlung, - mit einer Verlustleistung von 634 Watt (Drain power dissipation). "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlust-   leistung von mehr als 1 W"