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Implanteur ionique, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. Il comprend principalement un terminal (alimentations de puissance, source ionique, boite à gaz et analyseur de faisceau ), une ligne de faisceau (optique ionique, scanners), une chambre de process (chambre d’implantation, station de transfert), une interface utilisateur (écran tactile, oscilloscope,…). Dimensions : 8 x 4.50 x 3 M.

Implanteur ionique à courant moyen, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. Il comprend principalement : - Un terminal comprenant alimentation, source d'ions, boîte à gaz et analyseur de faisceau ; - Une ligne de faisceau comprenant des optiques de faisceau et des scanners ; - Une station terminale comprenant une chambre de traitement et un système de manutention ; - Une interface utilisateur écran tactile, oscilloscope, … Dimensions : 8.00 x 4.00 x 4.00 m.

Implanteur ionique, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. L'outil est divisé en trois modules : - Terminal comprenant alimentation, source d'ions, boîte à gaz et analyseur de faisceau - Ligne de faisceau comprenant l'optique du faisceau, les scanners et le contrôle principal - Station terminale comprenant une chambre d'implant et un système de manipulation. Dimensions : 4.00 x 3.00 x 2.50 M.

Implanteur ionique, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. Il est divisé en quatre modules distincts : - Module de processus - Module de distribution de gaz - Module électrique - Système de chargement (en option) - Système de refroidissement (en option). Dimensions : 3.00 x 2.00 x 3.00 M.

Parties de machines et appareils utilisés exclusivement pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteur, se présentant sous la forme de cibles de pulvérisation cathodique. Le produit est une pièce en métal, pouvant être monobloc ou soudée sur un support permettant sa fixation dans l’équipement. La pulvérisation cathodique utilise l’énergie du plasma (gaz en partie ionisé) à la surface d’une cible (cathode) pour arracher les atomes du matériau et les déposer sur un substrat (wafer de silicium ou plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin, utilisée pour fabriquer des composant de microélectronique). La cible permet à la machine à laquelle elle est destinée de réaliser des dépôts métalliques de très faible épaisseur sur des supports divers (entrant dans la fabrication des semi-conducteurs, des composants électroniques, etc.). Les cibles se présentent sous des formes variées (ronde, rectangulaire, triangulaire,etc.) et sont composées de différents métaux ou alliages (aluminium, titane, tungstène, cuivre, etc.). Elles sont constituées d’un seul et même bloc de métal ou soudées sur un support équipé ou non de canaux de refroidissement. Des trous de fixation peuvent parfois exister.