andere optische Instrumente, Apparate und Geräte

Sog. elektronisches Messgerät, im Wesentlichen bestehend aus einem Gehäuse mit einem optischen System, einem Mikroskop, einem Objektivrevolver mit Linsen, einer Videokamera, einer Deuterium UV-Lampe, einer Xenon-Lampe, einem Ellipsometer, einem X-Y-Z-Messtisch, einem Monitor, einer Transport- und Positionierungsvorrichtung sowie weiteren elektrischen, elektronischen und mechanischen Bauteilen. Die Systemkomponenten sind über Kabel miteinander verbunden und bilden eine funktionelle Einheit (zur äußeren Form siehe Abbildung in der Anlage). Das System dient der Messung und Analyse der leitfähigen oder isolierenden Schichten (Dicke, optische Eigenschaften, Zusammensetzung) von Halbleiterscheiben. Zur Messung werden die Messproben (Wafer) mit Licht bestrahlt und die Polarisation des reflektierten Lichts zur Schichtdickenbestimmung analysiert. Die Ware wird als "optisches Gerät zum Messen oder Prüfen, in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, anderes als Unterposition (KN) 9031 1000 bis 9031 2000, zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbauelementen oder zum Prüfen von Fotomasken und Reticles für die Herstellung von Halbleiterbauelementen" eingereiht.

Optisches Messsystem, im Wesentlichen aus einem optischen Messkopf, Mikroskop, Kamera, UV- und Halogenlampengehäuse, Objektivrevolver und Linsen, einem X-Y-Z-Messtisch, einem UV-Lampennetzteil, einem Halogenlampennetzteil, einer Ansteuerung für den Messtisch, einem PC, einem Monitor, einer Maus/Trackball, einer Tastatur und einem Joystick bestehend. Die Systemkomponenten sind über Kabel miteinander verbunden und bilden eine funktionelle Einheit. Die Ware dient zur Analyse der Waferoberfläche (Schichtdicke) während der Produktion in der Halbleiterfertigung. Zur Messung werden die Messproben (Wafer) mit Licht bestrahlt. Das eingestrahlte Licht wird von den Wafern in Abhängigkeit von der Wellenlänge unterschiedlich stark reflektiert bzw. absorbiert. Das reflektierte Licht wird im Messkopf an einem Gitter in seine Wellenlängen aufgespalten. Ein CCD-Array misst die Intensität des reflektierten Lichts in Abhängigkeit von der Wellenlänge und ermöglicht so die Berechnung der Schichtdicke der Wafer. Das Gerät wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, nicht von den Unterpositionen (KN) 9031 1000 bis 9031 2000 erfasst" eingereiht.

Waferprüfgerät, so genanntes Candela CS20, im Wesentlichen bestehend aus einem Testgerät mit Rollcontainer (Abmessungen über Alles: 108,71 cm x 180,09 cm x 110,74 cm T x H x B) mit Bedienelement in dem sich die optische Prüfvorrichtung und die Auswerteeinheit befinden (äußere Form: siehe Abbildung in der Anlage). In dem Gerät wird polarisiertes Laserlicht auf den rotierenden zu untersuchenden Wafer geworfen. Der reflektierte Strahl wird in zwei Polarisationsrichtungen detektiert und die Phasenverschiebung berechnet. Gleichzeitig wird die Topographie des Wafers an der gleichen Stelle durch eine positionsempfindliche Messung des reflektierten Laserlichts ermittelt. Die Phasenverschiebung gibt Aufschluss auf Verunreinigung auf der Oberfläche. Das Gerät wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen" eingereiht.

Waferinspektionssystem zur Abbildung von Abweichung von Strukturelementen auf Wafern, so genanntes AEGIS, im Wesentlichen bestehend aus einer 2,05 m x 2,31 m x 2,40 m großen Inspektionseinheit mit integriertem Laser und Abbildungssystem. Die zu untersuchenden Wafer werden mittels des Lasers bestrahlt und diese anhand der Reflexion des Lichts hinsichtlich der zuvor erfolgten Belackung und Belichtung auf z.B. unerwünschte Linienunterbrechungen oder Linienzusammenschlüssen kontrolliert. Die Ware wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen" eigereiht.

Waferprüfsystem, so genannter Chapman MP 3100 System, im Wesentlichen bestehend aus Messkopf (Laser und Spiegel enthaltend), Wafertransport- / -positioniersystem sowie einem PC mit Monitor und Tastatur (äußere Form: siehe Abbildung in der Anlage). Das System und der Computer sind über Kabel miteinander verbunden und bilden somit eine funktionelle Einheit. Das System wird für die Messung und Prüfung des Oberflächenprofils und der Oberflächenrauigkeit von Halbleiterscheiben verwendet. Die Ware wird als "optisches Gerät zum Messen oder Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen" eingereiht.

Optisches Messsystem, im Wesentlichen aus einem optischem Messkopf, Mikroskop, Kamera, UV- und Halogenlampengehäuse, Objektivrevolver und Linsen, einem X-Y-Z-Messtisch, einem UV-Lampennetzteil, einer Ansteuerungsbox für den Messtisch und den Objektivrevolver, einem PC, in dem ein sog. Nanometrics CS9 Computer mit Messelektronik eingebaut ist, einem Monitor, einer Maus/Trackball, einer Tastatur und einem Joystick für X-Y-Steuerung bestehend. Die Systemkomponenten sind über Kabel miteinander verbunden und bilden eine funktionelle Einheit. Die Ware dient zur Analyse der Waferoberfläche (Schichtdicke) während der Produktion in der Halbleiterfertigung. Zur Messung werden die Messproben (Wafer) mit UV- und sichtbarem Licht bestrahlt. Das eingestrahlte Licht wird von den Wafern in Abhängigkeit von der Wellenlänge unterschiedlich stark reflektiert bzw. absorbiert. Das reflektierte Licht wird im Messkopf an einem Gitter in seine Wellenlängen aufgespalten. Ein Photomultiplier misst die Intensität des reflektierten Lichts in Abhängigkeit von der Wellenlänge und ermöglicht so die Berechnung der Schichtdicke der Wafer. Die Ware wird als "optisches Gerät zum Messen oder Prüfen, in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, anderes als Unterposition (KN) 9031 1000 bis 9031 2000, zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbauelementen oder zum Prüfen von Fotomasken und Reticles für die Herstellung von Halbleiterbauelementen" eingereiht. Abbildung: siehe Anlage