IGBT - Modul (Abbildung siehe Anlage), - mit sechs Insulated Gate Bipolar Transistoren in Chipform, jeweils in   antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden, zusätzlichen Schutzdioden   sowie gespiegelten Emitteranschlüssen, in einem gemeinsamen Modul-   gehäuse mit elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 773 W. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer  Verlustleistung von mehr als 1 W - IGBT-Modul"

AV 1 / AV 6 Anm 12 a) i) Kap 85 / Anm 12 Abs 2 Kap 85