Description of goods

Sog.  im MOCVD-Verfahren hergestellte InGaAlP-Laserdiode für 650 nm mit Quantentopfstruktur, in Form einer mit einer Photodiode zur Leistungsüberwachung verschalteten Laserdiode in einem TO-18-Gehäuse (5,6 mm Durchmesser), mit drei Anschlusspins, mit einer sichtbaren Lichtleistung von 650 nm und einer typischen Lichtausgangsleistung von 7mW für optoelektronische Geräte wie z.B. Barcode-Lesegeräte und industrielle Anwendungen. Eine Einreihung in die Position 8541 kommt nicht in Betracht, da Photodioden zur Leistungsüberwachung keine zulässigen Bestandteile im Sinne der Anmerkung 12 a) 2) zu Kapitel 85 sind.  Die Ware wird als "Laser, ausgenommen Laserdioden" eingereiht.