DEBTI40358/25-1Aktiv
8486.20.00.00
DE-10. Nov. 2025→9. Nov. 2028
Atomlagenabscheidungsanlage (Abbildung siehe Anlage)
- in Form eines modular aufgebauten Anlagensystems aus einem rechteckigen Gehäuse mit
integriertem Display und Bedienelementen, strömungsoptimierter Querstrom-Abscheidungs-
kammer, Flaschen mit Vorläufersubstanzen, organometallischen Quellen, Heißwand-
Abscheidungskammer mit metallversiegelten Punktquellen, Substrathalter, automatischer
Flusskontrollfunktion, Dreiwege-Pulsventilen, Edelstahlrohren, Erhitzungssystem für
Flüssigkeiten mit niedrigem Dampfdruck, Zylindern aus Edelstahl, metallversiegeltem
Gasflusssystem, Reaktionskammer mit Spannfutter oder Platte, Ozongenerator, Partikel-
Beschichtungs-Vorrichtung, ferrofluider, vakuumkompatibler Bewegungsdurchführung, Netzfilter,
Heizmantel für obere Ventilbaugruppe und unterem Vorläufer, Inertgasen, Vakuumsystem oder
Spülsystem sowie Reaktanten und Gegenreaktanten,
- in unterschiedlichen Ausführungen (je nach kundenseitiger Anlage und Fertigungverfahren),
- konzipiert zur Abscheidung dünner Schichten aus der Gasphase in der Halbleiterfertigung,
- dient zum Aufbringen von Prototypen (kleiner als Wafer) bei der Herstellung von
Halbleiterbauelementen mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD).
"Maschinen, Apparate und Geräte von der ausschließlich oder hauptsächlich zum Her-
stellen von Halbleiterbarren (boules), Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbau-
elementen, elektronischen integrierten Schaltungen oder Flachbildschirmen verwende-
ten Art, keine Ware der Codenummer 8486 1000 00 0, Apparat zum Herstellen von Halb-
leiterbauelementen - Atomlagenabscheidungsanlage"