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Photodiodenmodul - aus einer InGaAs-Photodiode in einem TO5-Gehäuse mit drei Anschlusspins und angeschlossenem Faserpigtail mit FC/APC-Stecker, - zum Empfangen von optischen Signalen auf einer Wellenlänge von 1100 bis 1650 nm, Konvertieren und Senden von elektrischen Signalen für die drahtgebundene Datenübertragung nach Einbau in ein Telekommunikationsgerät. "Apparat für die Kommunikation in einem drahtgebundenen Netzwerk, keine Basisstation, Gerät zum Empfangen, Konvertieren und Senden von Tönen, Bildern oder anderen Daten - Photodiodenmodul"

Wärmebehandlungssystem (LASER-Ofen), - aus einer geschlossenen Prozesskammer zur Aufnahme von Werkstücken,   einer divergierenden LASER-Quelle sowie einer Steuer- und Regeleinheit   mit Bildschirm, aus voneinander getrennten über Kabel verbundenen   Einzelkomponenten, - zur Erhitzung von Werkstücken durch Absorption der optischen Strahlung,   wobei Temperaturen bis zu 1.000 Grad entstehen, - zur Verwendung in unterschiedlichen industriellen Anwendungen (z.B. beim   Einbrennen von Lacken oder beim Sintern von Pasten auf Kupferfolien bei   der Batterieherstellung. "Elektrischer Industrieofen, kein Ofen der Unterpositionen (HS) 8514 11 - 8514 32,   nicht von der ausschließlich oder hauptsächlich für die Herstellung gedruckter   Schaltungen oder Baugruppen gedruckter Schaltungen verwendeten Art, in   funktioneller Einheit aus voneinander getrennten über Kabel verbundenen Einzel-   komponenten"

Hochdruck-Kristallzüchtungsanlage (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines Spiegelofens (2 Spiegel - Zonenschmelzofen) für tiegelfreies   Schmelzen, mit einer Xenon-Kurzbogenlampe, einem Hochdrucksystem   (bis zu 300 bar), einem Vakuumsystem, einer Gaszuführung (Argon,   Sauerstoff und andere Gase), einer Hochdruck-Prozesskammer, zwei vertikal   angeordneten Linear- und Rotationsantrieben für den Fütterstab bzw. Keimstab,   einer elektrischen Nachheizung für den Kristall in einem Standgehäuse   (Abmessungen: 302 x 163 x 80 cm) sowie einer Kontroll- und Steuereinheit   mit zwei Touchscreen-Bediendisplays, - zum  Züchten von Einkristall-Barren (Durchmesser: 10 mm, Länge: 120 mm) im   Zonenschmelzverfahren bei bis zu 3000°C im Labormaßstab, - nicht hauptsächlich zur Herstellung von halbleitenden Kristallen, sondern auch   zur Erzeugung leitender oder isolierender Verbindungen bestimmt.  "Elektrischer Laboratoriumsofen, kein Widerstands- oder Induktionsofen, nicht von den Unterpositionen (KN) 8514 31 10 bis 8514 39 10 erfasst"

Laser-Kristallzüchtungsanlage (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines laserbeheizten Zonenschmelzofens für tiegelfreies Schmelzen,   mit fünf 300W-Diodenlasern (980 nm), einem Hochdrucksystem (bis zu 300 bar),   einer Gaszuführung (Argon, Sauerstoff und andere Gase), einer Vakuumpumpe,   einer Hochdruck-Prozesskammer, zwei vertikal angeordneten Linear- und Rotationsantrieben   für den Fütterstab bzw. Keimstab, einer laserbasierten Nachheizung für den Kristall in   einem Standgehäuse (Abmessungen:  270 x 160 x 85 cm) sowie einer Kontroll- und   Steuereinheit mit zwei Touchscreen-Bediendisplays, - zum Züchten von Einkristall-Barren (Durchmesser: 10 mm, Länge: 120 mm) im   Zonenschmelzverfahren bei bis zu 3000°C im Labormaßstab, - nicht hauptsächlich zur Herstellung von halbleitenden Kristallen, sondern auch   zur Erzeugung leitender oder isolierender Verbindungen bestimmt. "Elektrischer Laboratoriumsofen, kein Widerstands- oder Induktionsofen, nicht von den Unterpositionen (KN) 8514 31 10 bis 8514 39 10 erfasst"

Hochdruck-Sauerstoff-Ofen (Abbildungen siehe Anlage), - in Form von elektrisch betriebenen Widerstandsöfen mit indirekter   Beheizung (Heizwendel) für das Sintern von Proben in einer horizontal angeordneten   Hochdruck-Prozesskammer (18 x 200mm), mit einem Hochdrucksystem für Sauerstoff   (bis zu 200 bar), einer Inert-Kammer für den Heizwiderstand (gefüllt mit Argon), in der   Ofen-Variante mit vertikal angeordneter Prozesskammer mit Probenauslösemechanismus   und darunter liegender Abschreckkammer, mit Anschlüssen für Prozessgase, Kühlwasser   und Strom in einem Tischgehäuse (Abmessungen: 57 x 69 x 52 cm) bzw. Standgehäuse   sowie einer Kontroll- und Steuereinheit mit einem Touchscreen-Bediendisplay, - zum Sintern von Werkstoffen unter frei wählbarem Druck und Sauerstoffgehalt in   einer gekühlten Hochdruck-Prozesskammer bei bis zu 1100°C und Abschreckung   (Vertikal-Ofen-Variante) im Labormaßstab. "Elektrischer Laboratoriumsofen, Widerstandsofen mit indirekter Beheizung, nicht von den Unterpositionen (KN) 8514 11 00 bis 8514 19 10 erfasst"