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Wärmebehandlungssystem (LASER-Ofen), - aus einer geschlossenen Prozesskammer zur Aufnahme von Werkstücken,   einer divergierenden LASER-Quelle sowie einer Steuer- und Regeleinheit   mit Bildschirm, aus voneinander getrennten über Kabel verbundenen   Einzelkomponenten, - zur Erhitzung von Werkstücken durch Absorption der optischen Strahlung,   wobei Temperaturen bis zu 1.000 Grad entstehen, - zur Verwendung in unterschiedlichen industriellen Anwendungen (z.B. beim   Einbrennen von Lacken oder beim Sintern von Pasten auf Kupferfolien bei   der Batterieherstellung. "Elektrischer Industrieofen, kein Ofen der Unterpositionen (HS) 8514 11 - 8514 32,   nicht von der ausschließlich oder hauptsächlich für die Herstellung gedruckter   Schaltungen oder Baugruppen gedruckter Schaltungen verwendeten Art, in   funktioneller Einheit aus voneinander getrennten über Kabel verbundenen Einzel-   komponenten"

Hochdruck-Kristallzüchtungsanlage (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines Spiegelofens (2 Spiegel - Zonenschmelzofen) für tiegelfreies   Schmelzen, mit einer Xenon-Kurzbogenlampe, einem Hochdrucksystem   (bis zu 300 bar), einem Vakuumsystem, einer Gaszuführung (Argon,   Sauerstoff und andere Gase), einer Hochdruck-Prozesskammer, zwei vertikal   angeordneten Linear- und Rotationsantrieben für den Fütterstab bzw. Keimstab,   einer elektrischen Nachheizung für den Kristall in einem Standgehäuse   (Abmessungen: 302 x 163 x 80 cm) sowie einer Kontroll- und Steuereinheit   mit zwei Touchscreen-Bediendisplays, - zum  Züchten von Einkristall-Barren (Durchmesser: 10 mm, Länge: 120 mm) im   Zonenschmelzverfahren bei bis zu 3000°C im Labormaßstab, - nicht hauptsächlich zur Herstellung von halbleitenden Kristallen, sondern auch   zur Erzeugung leitender oder isolierender Verbindungen bestimmt.  "Elektrischer Laboratoriumsofen, kein Widerstands- oder Induktionsofen, nicht von den Unterpositionen (KN) 8514 31 10 bis 8514 39 10 erfasst"

Laser-Kristallzüchtungsanlage (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines laserbeheizten Zonenschmelzofens für tiegelfreies Schmelzen,   mit fünf 300W-Diodenlasern (980 nm), einem Hochdrucksystem (bis zu 300 bar),   einer Gaszuführung (Argon, Sauerstoff und andere Gase), einer Vakuumpumpe,   einer Hochdruck-Prozesskammer, zwei vertikal angeordneten Linear- und Rotationsantrieben   für den Fütterstab bzw. Keimstab, einer laserbasierten Nachheizung für den Kristall in   einem Standgehäuse (Abmessungen:  270 x 160 x 85 cm) sowie einer Kontroll- und   Steuereinheit mit zwei Touchscreen-Bediendisplays, - zum Züchten von Einkristall-Barren (Durchmesser: 10 mm, Länge: 120 mm) im   Zonenschmelzverfahren bei bis zu 3000°C im Labormaßstab, - nicht hauptsächlich zur Herstellung von halbleitenden Kristallen, sondern auch   zur Erzeugung leitender oder isolierender Verbindungen bestimmt. "Elektrischer Laboratoriumsofen, kein Widerstands- oder Induktionsofen, nicht von den Unterpositionen (KN) 8514 31 10 bis 8514 39 10 erfasst"

Elektroschlackeumschmelzanlage zum Umschmelzen von Stahlblöcken mittels Anlegen einer Spannung (spezielle Schlacke wirkt hier als ohmscher Widerstand und wandelt die Energie der Stromversorgung in Wärme um); - bestehend aus Ofenköpfen, die die Elektroden tragen und bewegen, Schmelzstationen mit wassergekühlten Kupferkokillen, Stromversorgung (Transformator) mit stromführenden Kupferschienen, Kühlwassersystem, Hydraulikversorgung, sowie Kontrollsystem zur Prozesssteuerung und Überwachung. (Angaben laut Antragsteller, Abbildung siehe Anlage)

Pfannenofen (Lichtbogenofen) zum Umschmelzen von Stahl mittels Anlegen einer Spannung an Elektroden; im Wesentlichen bestehend aus einer Schmelzpfanne mit wassergekühltem Deckel, Hydraulikaggregat für die Elektrodenbewegung und das Deckelhubwerk, Kühlwassersystem, Druckluftanlage, Pfannentransportwagen, Absauganlage für die entstehenden Prozessgasse, Drehstromtransformator zur Stromversorgung, sowie Bedienpult. (Angaben laut Unternehmen)