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IGBT-Modul  (Abbildung siehe Anlage), - aus zwei elektrisch verschalteten Insulated Gate Bipolar Transistoren,    jeweils in antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden in einem gemeinsamen    Modulgehäuse mit fünf elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 1425 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W - IGBT-Modul"

SiC - Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus miteinander elektrisch verschalteten Silizium-Carbid-Transistoren und   Schutzdioden in einem gemeinsamen Modulgehäuse mit elektrischen   Anschlüssen sowie passiver Wasserkühlung, - mit einer Verlustleistung von 634 Watt (Drain power dissipation). "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlust-   leistung von mehr als 1 W"

IGBT(Abbildung siehe Anlage), - in Form eines einzelnen IGB-Transistors in Chipform, - mit einer Verlustleistung von bis zu 440 Watt, - zur Verwendung mit IGBT-Modulen bestimmt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W"

Power Transistor (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines Feldeffekttransistors mit Drain, Source und Gate in einem   SMD-Gehäuse mit mehreren Anschlussflächen, wobei Source und Gate   jeweils drei Anschlüsse aufweisen, - mit einer Verlustleistung von mehr als 1 W. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer  Verlustleistung von mehr als 1 W"

IGBT-Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus mehreren Insulated Gate Bipolar Transistoren, jeweils in antiparalleler   Schaltung mit Freilaufdiode in einem gemeinsamen sowie einer zusätzlichen   Diode zur Temperaturmessung in einem Modulgehäuse mit elektrischen   Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 1.000 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W - IGBT-Modul"