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Fasergekoppelte Fotodioden "PPDA" (Abbildung siehe Anlage), - aus einer Fotodiode in einem Gehäuse, mit Glasfaserkabel mit SC- bzw. FC-   Anschluss für einen Wellenlängenbereich von 1100 - 1650 nm. "Lichtempfindliches Halbleiterbauelement, Fotodiode"

PIN-Photodiode, Mat-Nr. 11126781 (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines Einzelelements in einem TO-Gehäuse mit zwei elektrischen   Anschlussdrähten, - für Anwendungen in einem Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1100 nm bestimmt. "Lichtempfindliches Halbleiterbauelement - PIN-Photodiode"

PIN-Fotodiode, (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines ungehäusten Einzelelements (Chip-on-Carrier) mit einem p-Kontakt,   und einem n-Kontakt, - für Anwendungen in einem Wellenlängenbereich von 1260 nm bis 1620 nm bestimmt. "Lichtempfindliches Halbleiterbauelement; Fotodiode"

Fotovoltaikmodul (Abbildung siehe Anlage), - aus polykristallinen Silizium-Fotovoltaikzellen, in einem Aluminiumrahmen,   mit einem Anschlusskabel mit zwei Anschlussbuchsen,   mit einer Nennleistung von 5 Watt bei einer Spannung von 6 Volt, - zur direkten Umwandlung von Sonnenlicht in elektrische Energie zur   Abgabe an Stromabnehmer mit eigener Sperrdiode (z. B. Lampen, Powerbanks). "Lichtempfindliche Halbleiterbauelemente, zu Modulen zusammengesetzt – Fotovoltaikmodul“

Photovoltaikmodul (Solarmodul), - aus mehreren polykristallinen Solarzellen (Zellenanzahl 72) in einem abgeschlossenen Gehäuse aus einem Aluminiumrahmen mit 3,2 mm starker Glasplatte, mit einer Anschlussbox mit 3 Bypassdioden auf der Rückseite und Anschlusskabel mit Steckern, - außer den Bypassdioden sind keine weiteren elektrischen Komponenten verbaut, - mit den Abmessungen 1956 mm x 992 mm x 40 mm, - mit einer maximalen Leistung von 370 - 410 W, - zur direkten Umwandlung von Sonnenlicht in elektrische Energie, - für verschiedene Anwendungen bestimmt. (Angaben laut Antragsteller)