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Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. DRAM 1Mx16) - in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, - in CMOS-Technik, mit einer Speicherkapazität von 16 Mbit, - in einem SOJ- oder TSOP-Gehäuse mit Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, Speicher in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter dynamischer RAM, DRAM) mit einer Speicherkapazität von 512 Mbit oder weniger"

Mobile-SDRAM (Bezeichnung: K4M641633K-BN75, Art.Nr. K8100450), Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynamische RAMs, DRAMs) - mit einer Speicherkapazität von 512 MBit oder weniger, - in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, - in einem FBGA-Gehäuse mit 54 Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynamische RAMs, DRAMs) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit oder weniger, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung"

CMOS SDRAM (KM416S8030T), BMK-Nr. 10-0531, Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynamische RAMs, DRAMs), - mit einer Speicherkapazität von 128 MBit, - in Form einer monotlithischen integrierten Schaltung, - in einem Gehäuse mit 54 Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynamische RAMs, DRAMs) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit oder weniger, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung"

Mobile SDRAM, K4M561633G-BN75, Art-Nr. K8100413, Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynmasche RAMs,DRAMs) - mit einer Speicherkapazität von 512 MBit oder weniger, - in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, - in einem BGA-Gehäuse mit 54 Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynamische RAMs, DRAMs) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit oder weniger, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung"

Mobile SDRAM, K4M281633H-BN75 (Schaltkreis Samsung), Art-Nr. K8100373, Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynamische RAMs,DRAMs), - mit einer Speicherkapazität von 512 MBit oder weniger, - in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, - in einem FBGA-Gehäuse mit 54 Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sog. dynamische RAMs, DRAMs) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit oder weniger, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung"