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PROM-Speicherbaustein (Abbildung siehe Anlage), - einmalig programmierbarer, Nur-Lesespeicher (PROM) in Form einer   monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität   von 16 Mbit, in einem Gehäuse mit 44 Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, keine Ware der Position 8523, Speicher,  keine in Anmerkung 9 b), Ziffern 3 und 4, zu diesem Kapitel genannte Ware,  nicht von den TARIC-Codes 8542 3231 00 - 8542 3275 00 erfasst - PROM-  Speicherbaustein in Form einer monolithischen integrierten Schaltung"

Ferroelectric Random Access Memory - FRAM (FM25W256-G), BMK-Nr. 10-1249-1 - in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, - in einem SOIC-Gehäuse mit 8 Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, Speicher (FRAM) in Form einer monolithischen integrierten Schaltung"

Ferroelectric Random Access Memory (FRAM), - in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, - mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, - in einem SOIC-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Elektronische integrierte Schaltung , Speicher (FRAM) in Form einer monolithischen integrierten Schaltung,

Programmierbarer Festwertspeicher (PROM), - in CMOS-Technik hergestellt, - mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit, - in Form einer digitalen monolithischen integrierten Schaltung, - in einem VQFP-Gehäuse. �Elektronische integrierte Schaltung , Speicher in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, programmierbarer Festwertspeicher (PROM)�

Step-Down-Converter (Abbildung siehe Anlage) - in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem SMD-Gehäuse   mit acht Pin-Anschlüssen. "Elektronische integrierte Schaltung, kein Prozessor und keine Steuer- oder   Kontrollschaltung, kein Speicher oder Verstärker, keine in Anmerkung 12 b),   Ziffern 3 und 4, zu diesem Kapitel genannte Ware - Step-Down-Converter in   Form einer monolithisch integrierten Schaltung"