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Speichermodul (sogenanntes DIMM), - aus einer mit 16 synchronen dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff in CMOS-Technik (sogenannte CMOS SDRAMs), einem elektrisch löschbaren Speicher (EEPROM) und Entkoppelungskondensatoren bestückten gedruckten Schaltung mit 168-poliger Kontaktleiste, - zur Verwendung als universeller Schreib-Lesespeicher zum Speichern von Daten in verschiedenen Geräten, - mit einer Speicherkapazität von 512 MB. "Elektrischer Teil von Maschinen, Apparaten und Geräten, in Kapitel 85 anderweit weder genannt noch inbegrifffen, Speicher in Form von Mehrfachkombinationen (Speichermodul) mit DRAMs, die in CMOS-Technik hergestellt werden - SDRAM-Speichermodul"

Speichermodul (sogenanntes DDR2-533 Micro-DIMM), - aus einer mit 8 synchronen dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff in CMOS-Technik (sogenannte CMOS SDRAMs), einem elektrisch löschbaren Speicher (EEPROM) und Entkoppelungskondensatoren bestückten gedruckten Schaltung mit 214-poliger Kontaktleiste, - zur Verwendung als universeller Schreib-Lesespeicher zum Speichern von Daten in verschiedenen Geräten, - mit einer Speicherkapazität von 512 MB. "Elektrischer Teil von Maschinen, Apparaten und Geräten, in Kapitel 85 anderweit weder genannt noch inbegrifffen, Speicher in Form von Mehrfachkombinationen (Speichermodul) mit DRAMs, die in CMOS-Technik hergestellt werden - SDRAM-Speichermodul"

Speichermodul (sogenanntes DDR2 667 SO-DIMM), - aus einer mit 16 synchronen dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff in CMOS-Technik (sogenannte CMOS SDRAMs), einem elektrisch löschbaren Speicher (EEPROM) und Entkoppelungskondensatoren bestückten gedruckten Schaltung mit 200-poliger Kontaktleiste, - zur Verwendung als universeller Schreib-Lesespeicher zum Speichern von Daten in verschiedenen Geräten, - mit einer Speicherkapazität von 1 GB. "Elektrischer Teil von Maschinen, Apparaten und Geräten, in Kapitel 85 anderweit weder genannt noch inbegrifffen, Speicher in Form von Mehrfachkombinationen (Speichermodul) mit DRAMs, die in CMOS-Technik hergestellt werden - SDRAM-Speichermodul"

Speichermodul (sogenanntes DDR2 400 Registered DIMM), - aus einer mit 18 synchronen dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff in CMOS-Technik (sogenannte CMOS SDRAMs), zwei Registern, einem PLL Treiber-IC und einem elektrisch löschbaren Speicher (EEPROM) sowie Entkoppelungskondensatoren bestückten gedruckten Schaltung mit 240-poliger Kontaktleiste, - zur Verwendung als universeller Schreib-Lesespeicher zum Speichern von Daten in verschiedenen Geräten, - mit einer Speicherkapazität von 1 GB. "Elektrischer Teil von Maschinen, Apparaten und Geräten, in Kapitel 85 anderweit weder genannt noch inbegrifffen, Speicher in Form von Mehrfachkombinationen (Speichermodul) mit DRAMs, die in CMOS-Technik hergestellt werden - SDRAM-Speichermodul"

SDRAM-Speicherbauteil (4 x 4M x 16 Mobile SDRAM), - mit 4 synchronen dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (SDRAM- Speicherchips) in CMOS-Technik, - in einem BGA Gehäuse mit 54 Anschlüssen und der Kennzeichnung K4S561633F, - zur Verwendung als universeller Schreib-Lesespeicher in verschiedenen Geräten mit einer Speicherkapazität von 256 Mbit (4 x 4 MB x 16) "Elektrischer Teil von Maschinen, Apparaten und Geräten, in Kapitel 85 anderweit weder genannt noch inbegriffen - Speicher in Form von Mehrfachkombinationen, DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter (MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden"