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"Ellipsometer", im Wesentlichen bestehend aus einem Gerätesystem (funktionelle Einheit) aus der Optikeinheit mit mehreren Lasern, Prisma, Fotodetektor, Kopplungskopf und Drehtisch, über Kabel verbunden mit der Prismenkoppler-Bedieneinheit, einer Temperaturkontrolleinheit, einem PC, einem Monitor, einer Schnittstelle und ggfs. einem Drucker. Die zu messende Probe wird mithilfe eines pneumatisch betriebenen Kupplungskopfes mit der Basis eines Prismas in Kontakt gebracht, wodurch ein kleiner Luftspalt zwischen dem Film und dem Prisma entsteht. Ein Laserstrahl trifft auf die Basis des Prismas und wird an der Prismenbasis vollständig auf einen Fotodetektor reflektiert. Bei bestimmten diskreten Werten des Einfallswinkels (Moduswinkel) können Photonen über den Luftspalt in den Film tunneln und in einen geführten optischen Ausbreitungsmodus eintreten, wodurch die Intensität des Lichts, das den Detektor erreicht, stark abfällt. Das Gerät dient zur Messung und Analyse planarer Dünnfilmschichten (Dicke, Brechungsindex) von Halbleiterscheiben (Wafern). Zur äußeren Form siehe Abbildung in Anlage. Die Ware wird als "optisches Gerät zum Messen oder Prüfen, in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, anderes als Unterposition (KN) 9031 1000 bis 90312000, zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbauelementen oder zum Prüfen von Fotomasken und Reticles für die Herstellung von Halbleiterbauelementen" eingereiht.
Sog. elektronisches Messgerät, im Wesentlichen bestehend aus einem Gehäuse mit einem optischen System, einem Mikroskop, einem Objektivrevolver mit Linsen, einer Videokamera, einer Deuterium UV-Lampe, einer Xenon-Lampe, einem Ellipsometer, einem X-Y-Z-Messtisch, einem Monitor, einer Transport- und Positionierungsvorrichtung sowie weiteren elektrischen, elektronischen und mechanischen Bauteilen. Die Systemkomponenten sind über Kabel miteinander verbunden und bilden eine funktionelle Einheit (zur äußeren Form siehe Abbildung in der Anlage). Das System dient der Messung und Analyse der leitfähigen oder isolierenden Schichten (Dicke, optische Eigenschaften, Zusammensetzung) von Halbleiterscheiben. Zur Messung werden die Messproben (Wafer) mit Licht bestrahlt und die Polarisation des reflektierten Lichts zur Schichtdickenbestimmung analysiert. Die Ware wird als "optisches Gerät zum Messen oder Prüfen, in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, anderes als Unterposition (KN) 9031 1000 bis 9031 2000, zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbauelementen oder zum Prüfen von Fotomasken und Reticles für die Herstellung von Halbleiterbauelementen" eingereiht.
Optisches System zur Inspektion von Halbleiterscheiben (wafers) in verschiedenen Ausführungen, im Wesentlichen jeweils bestehend aus einem Gehäuse mit einem Beladeroboter, einer XY- Ausrichte- und Verfahreinheit für die Wafer, einer Kamera mit Objektivrevolver, einer optischen Einheit zum Auslesen der Wafer-ID sowie einer Auswerte- und Bedieneinheit mit Monitor (siehe beispielhafte Abbildung in der Anlage). Das System dient der automatischen Inspektion durch Vergleich mit einem Gutteil und je nach Ausführung der 2D- oder 3D-Vermessung von Halbleiterscheiben, wie z. B. Vermessung der Lötkugeln (bump). Das Gerät wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, nicht von den Unterpositionen (KN) 9031 1000 bis 9031 2000 erfasst" eingereiht.
Optisches Messsystem, im Wesentlichen aus einem optischen Messkopf, Mikroskop, Kamera, UV- und Halogenlampengehäuse, Objektivrevolver und Linsen, einem X-Y-Z-Messtisch, einem UV-Lampennetzteil, einem Halogenlampennetzteil, einer Ansteuerung für den Messtisch, einem PC, einem Monitor, einer Maus/Trackball, einer Tastatur und einem Joystick bestehend. Die Systemkomponenten sind über Kabel miteinander verbunden und bilden eine funktionelle Einheit. Die Ware dient zur Analyse der Waferoberfläche (Schichtdicke) während der Produktion in der Halbleiterfertigung. Zur Messung werden die Messproben (Wafer) mit Licht bestrahlt. Das eingestrahlte Licht wird von den Wafern in Abhängigkeit von der Wellenlänge unterschiedlich stark reflektiert bzw. absorbiert. Das reflektierte Licht wird im Messkopf an einem Gitter in seine Wellenlängen aufgespalten. Ein CCD-Array misst die Intensität des reflektierten Lichts in Abhängigkeit von der Wellenlänge und ermöglicht so die Berechnung der Schichtdicke der Wafer. Das Gerät wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, nicht von den Unterpositionen (KN) 9031 1000 bis 9031 2000 erfasst" eingereiht.
Waferprüfgerät, so genanntes Candela CS20, im Wesentlichen bestehend aus einem Testgerät mit Rollcontainer (Abmessungen über Alles: 108,71 cm x 180,09 cm x 110,74 cm T x H x B) mit Bedienelement in dem sich die optische Prüfvorrichtung und die Auswerteeinheit befinden (äußere Form: siehe Abbildung in der Anlage). In dem Gerät wird polarisiertes Laserlicht auf den rotierenden zu untersuchenden Wafer geworfen. Der reflektierte Strahl wird in zwei Polarisationsrichtungen detektiert und die Phasenverschiebung berechnet. Gleichzeitig wird die Topographie des Wafers an der gleichen Stelle durch eine positionsempfindliche Messung des reflektierten Laserlichts ermittelt. Die Phasenverschiebung gibt Aufschluss auf Verunreinigung auf der Oberfläche. Das Gerät wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen" eingereiht.