Angaben des Antragstellers: Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte Wafer aus Siliciumcarbid (SiC), welche u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Wafer werden aus zylinderförmigen Siliciumcarbidrohblöcken (sog. SiC Ingots) gefertigt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.

AV 1 / AV 6 ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 01.0 / ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 03.0