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Angaben des Antragstellers: Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte Wafer aus Siliciumcarbid (SiC), welche u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Wafer werden aus zylinderförmigen Siliciumcarbidrohblöcken (sog. SiC Ingots) gefertigt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.

Angaben des Antragstellers: Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte, zylinderförmige Rohblöcke aus Siliciumcarbid (SiC), welche als Zwischenprodukt u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Blöcke werden aus sogenannten SiC Boules gefertigt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.

Angaben: SiC-Boule, dotiert (n-Typ). Es handelt sich um ein Vorprodukt zur Fertigung eines Ingots bzw. Wafers. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert: andere.

Angaben des: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate (sog. Wafer), welche mit Eisen oder Silicium dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Befund: Verschiedene Erzeugnisse der chemischen Industrie: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert: andere.

Angaben des Antragstellers: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate, welche mit Eisen oder Schwefel dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Ein Warenmuster wurde nicht vorgelegt. Gemäß den beiliegenden Datenblättern sind die Substrate auf der Oberfläche poliert. Befund: Es handelt sich um zur Verwendung in der Elektronik dotierte chemische Verbindungen im Sinne der Unterposition (KN) 3818 0090.