BTI DEBTI40358/25-1
Description of goods
Atomlagenabscheidungsanlage (Abbildung siehe Anlage) - in Form eines modular aufgebauten Anlagensystems aus einem rechteckigen Gehäuse mit integriertem Display und Bedienelementen, strömungsoptimierter Querstrom-Abscheidungs- kammer, Flaschen mit Vorläufersubstanzen, organometallischen Quellen, Heißwand- Abscheidungskammer mit metallversiegelten Punktquellen, Substrathalter, automatischer Flusskontrollfunktion, Dreiwege-Pulsventilen, Edelstahlrohren, Erhitzungssystem für Flüssigkeiten mit niedrigem Dampfdruck, Zylindern aus Edelstahl, metallversiegeltem Gasflusssystem, Reaktionskammer mit Spannfutter oder Platte, Ozongenerator, Partikel- Beschichtungs-Vorrichtung, ferrofluider, vakuumkompatibler Bewegungsdurchführung, Netzfilter, Heizmantel für obere Ventilbaugruppe und unterem Vorläufer, Inertgasen, Vakuumsystem oder Spülsystem sowie Reaktanten und Gegenreaktanten, - in unterschiedlichen Ausführungen (je nach kundenseitiger Anlage und Fertigungverfahren), - konzipiert zur Abscheidung dünner Schichten aus der Gasphase in der Halbleiterfertigung, - dient zum Aufbringen von Prototypen (kleiner als Wafer) bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). "Maschinen, Apparate und Geräte von der ausschließlich oder hauptsächlich zum Her- stellen von Halbleiterbarren (boules), Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbau- elementen, elektronischen integrierten Schaltungen oder Flachbildschirmen verwende- ten Art, keine Ware der Codenummer 8486 1000 00 0, Apparat zum Herstellen von Halb- leiterbauelementen - Atomlagenabscheidungsanlage"