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Atomlagenabscheidungsanlage (Abbildung siehe Anlage) - in Form eines modular aufgebauten Anlagensystems aus einem rechteckigen Gehäuse mit   integriertem Display und Bedienelementen, strömungsoptimierter Querstrom-Abscheidungs-   kammer, Flaschen mit Vorläufersubstanzen, organometallischen Quellen, Heißwand-   Abscheidungskammer mit metallversiegelten Punktquellen, Substrathalter, automatischer    Flusskontrollfunktion, Dreiwege-Pulsventilen, Edelstahlrohren, Erhitzungssystem für    Flüssigkeiten mit niedrigem Dampfdruck, Zylindern aus Edelstahl, metallversiegeltem    Gasflusssystem, Reaktionskammer mit  Spannfutter oder Platte, Ozongenerator, Partikel-   Beschichtungs-Vorrichtung,  ferrofluider, vakuumkompatibler Bewegungsdurchführung, Netzfilter,    Heizmantel für obere Ventilbaugruppe und unterem Vorläufer, Inertgasen, Vakuumsystem oder   Spülsystem sowie Reaktanten und Gegenreaktanten, - in unterschiedlichen Ausführungen (je nach kundenseitiger Anlage und Fertigungverfahren), - konzipiert zur Abscheidung dünner Schichten aus der Gasphase in der Halbleiterfertigung,  - dient zum Aufbringen von Prototypen (kleiner als Wafer) bei der Herstellung von   Halbleiterbauelementen mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). "Maschinen, Apparate und Geräte von der ausschließlich oder hauptsächlich zum Her-   stellen von Halbleiterbarren (boules), Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbau-   elementen, elektronischen integrierten Schaltungen oder Flachbildschirmen verwende-   ten Art, keine Ware der Codenummer 8486 1000 00 0, Apparat zum Herstellen von Halb-   leiterbauelementen - Atomlagenabscheidungsanlage"

Vakuumbeschichtungsanlage (Abbildung siehe Anlage) - in Form eines modular aufgebauten Anlagensystems aus einem Gehäuse aus Stahl,     Aluminium-Vakuumkammer (Abmessungen: 680 x 500 x 705 mm) mit aufklappbarer    Fronttür und abnehmbaren Schmutzschutzschildern aus Edelstahl, PC-Kontrollstation    mit integrierter Software und Display, Turbomolekularpumpe zur Vakuumerzeugung    (Leistung: 2300 l/s), Druckregelungssystem, wassergekühlten Geschwindigkeitssensoren,    Heizwendel, gewölbtem Substratträger, Kühl- und Erhitzungsvorrichtung, Ladeschleusen,    Komponenten für thermische Verdampfung, Elektronenstrahl-Verdampfung und Plasma-    und Ionenstrahl-Bearbeitung, variablen Winkeltischen für 3D-Beschichtung und komplexe    Nanostrukturen, motorisiertem Linearmanipulator, Systemkontrolleinheit, Quellenverschluss,   Vakuum-Beschichtungsofen, Elektronenstrahlquelle, Prozesskontrollsystem, zweiteiligem   Substratverschluss sowie gitterloser Ionenstrahlquelle, - konzipiert zur Durchführung von Halbleiterverdampfung bzw. Elektronenstrahlverdampfung,   - dient zum Beschichten von Halbleiterscheiben (Silizium- und Glaswafer) bei der Herstellung    von Halbleiterbauelementen mittels Gasphasenabscheidung (PVD-Verfahren), - in einer gemeinsamen Verkaufsumschließung mit einem zusätzlichen Satz Kammerwand-   schutzschildern und Verschlussplatten sowie Sicherheits- und Zertifizierungssystemen (Bei-   pack). Die Vakuumbeschichtungsanlage bestimmt den Charakter des Ganzen. "Maschinen, Apparate und Geräte von der ausschließlich oder hauptsächlich zum Herstellen   von Halbleiterbarren (boules), Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbauelementen,   elektronischen integrierten Schaltungen oder Flachbildschirmen verwendeten Art, keine    Ware der Codenummer 8486 1000 00 0, Apparat zum Herstellen von Halbleiterbauelementen   (Warenzusammenstellung in Aufmachung für den Einzelverkauf aus Apparat zum Herstellen   von Halbleiterbauelementen - charakterbestimmend - und Beipack) - Vakuumbeschichtungs-   anlage"

Wafer-Sägemaschine (Abbildung siehe Anlage) - aus 4-Achs-Sägemodul mit Präzisionsspindel, Sägeblatt und Wasserkühlung,    Schneidetisch mit Substrat-Aufnahme (Substrat-Größe max. 152 mm),    Handlingsystem, Mess- und Wafer-Ausrichtsystem mit Mikroskop, Beleuchtung,   Autofokus-Funktion und Formerkennungssystem, Gerätesteuerung, in einem    Schrankgehäuse aus Stahl (Abmessungen B x T x H: 495 x 880 x 1715 mm) mit    Versorgungsanschlüssen, Bedien- und Anzeigeelementen sowie einer über Kabel   angeschlossenen Transformatoreneinheit zur Stromversorgung, - zum Vereinzeln der Halbleiterscheiben (Wafer) in Chips, - zum Einsatz bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. "Maschine zum Herstellen von Halbleiterbauelementen (funktionelle Einheit) - Wafer-Sägemaschine"

Kryopumpe (Abbildung siehe Anlage) - aus Vakuumbehälter, einem Metall-Kaltkopf mit zweistufigem Kaltkopfzylinder und   Kondensationsflächen, elektrischer Heizvorrichtung, Gerätesteuerung und einem   geschlossenen Kältekreislauf mit Kompressor, - zur Erzeugung eines Hochvakuums durch Kondensation von Gasmolekülen am Kaltkopf und   Abscheidung von Gasmolekülen, - zur Integration in Beschichtungsanlagen (PVD-Anlagen) zum Herstellen von Halbleiterbauelementen. "Gerät von der ausschließlich oder hauptsächlich zum Herstellen von Halbleiterbauelementen   verwendeten Art, keine Ultraschallwerkzeugmaschine - Kryopumpe für Beschichtungsanlage"

Switch Sheet (Abbildung siehe Anlage), - in Form einer rechteckigen Kontaktmatte (Abmessungen L x B: ca. 26,5 x 7,0 cm)   aus elastischem Kunststoff mit erhabenen Druckelementen auf der Oberseite und   elektrisch leitenden Kontaktpunkten auf der Unterseite, - zum Einbau als elektrische Kontakteinheit in die Bedieneinheit einer Säge-   maschine zum Herstellen von Halbleiterbauelementen. "Teil, erkennbar ausschließlich bestimmt für Maschinen von der ausschließlich zum Herstellen von Halbleiterscheiben (wafers) verwendeten Art - Switch Sheet"