MEMOIRE NON VOLATILE DE TYPE MAGNETO-RESISTIVE (MRAM) SOUS FORME DE CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE COMPRENANT NOTAMMENT LES COMPOSANTS SUIVANT: SILICIUM, MATERIAUX MAGNETIQUES, CONDUCTEURS ELECTRIQUES, ISOLANTS. LA MEMOIRE MRAM STOCKE LES DONNEES EN UTILISANT DES CHARGES MAGNETIQUES, GRACE AU PHENOMENE DE RESISTANCE MAGNETIQUE QUI CONSISTE DANS LE CHANGEMENT DES PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN MATERIAU EN FONCTION DU CHAMP MAGNETIQUE AUQUEL IL EST SOUMIS. ELLE EST CONSTITUEE DE PLAQUES DE SILICIUM SUR LESQUELLES UN DEPOT MAGNETIQUE EST DEPOSE AVEC MISE EN PLACE D'UNE INTERFACE PAR DIFFERENTS PROCEDES. LES DONNEES SONT STOCKEES GRACE A LA POLARISATION MAGNETIQUE D'UN FILM MINCE D'UN MATERIAU MAGNETIQUE, INTEGRE AVEC UN CIRCUIT LOGIQUE AFIN DE CONSTITUER UNE MEMOIRE COMPLETE. LES MEMOIRES MRAM SONT NON VOLATILES AVEC DES VITESSES EQUIVALENTES A CELLES DES DRAM ET DES SRAM. CES MEMOIRES NE PEUVENT PAS ETRE UTILISEES EN L'ETAT.

RG 1 ET RG 6 : LE CLASSEMENT EST DÉTERMINÉ PAR LES DISPOSITIONS DES RÈGLES GÉNÉRALES 1 ET 6 POUR L'INTERPRÉTATION DE LA NOMENCLATURE COMBINÉE, LES NOTES DE SECTIONS, DE CHAPITRES, AINSI QUE PAR LE LIBELLÉ DES CODES NC. NESH DE LA POSITION 8542, POINT I/, PAGE XVI-8542-1.