DEBTI16059/21-13818009000
Angaben des Antragstellers:
Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte Wafer aus Siliciumcarbid (SiC), welche u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Wafer werden aus zylinderförmigen Siliciumcarbidrohblöcken (sog. SiC Ingots) gefertigt.
Befund:
Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.