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IGBT-Modul  (Abbildung siehe Anlage), - aus zwei elektrisch verschalteten Insulated Gate Bipolar Transistoren,    jeweils in antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden in einem gemeinsamen    Modulgehäuse mit fünf elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 1425 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W - IGBT-Modul"

IGBT(Abbildung siehe Anlage), - in Form eines einzelnen IGB-Transistors in Chipform, - mit einer Verlustleistung von bis zu 440 Watt, - zur Verwendung mit IGBT-Modulen bestimmt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W"

Power Transistor (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines Feldeffekttransistors mit Drain, Source und Gate in einem   SMD-Gehäuse mit mehreren Anschlussflächen, wobei Source und Gate   jeweils drei Anschlüsse aufweisen, - mit einer Verlustleistung von mehr als 1 W. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer  Verlustleistung von mehr als 1 W"

IGBT-Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus miteinander elektrisch verschalteten Insulated Gate Bipolar Transistoren     in Chipform, jeweils in antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden in einem    gemeinsamen Modulgehäuse mit drei bzw. sechs elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 775 bis 12500 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlust-   leistung von mehr als 1 W"

IGBT - Modul (Abbildung siehe Anlage), - mit sechs Insulated Gate Bipolar Transistoren in Chipform, jeweils in   antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden, zusätzlichen Schutzdioden   sowie gespiegelten Emitteranschlüssen, in einem gemeinsamen Modul-   gehäuse mit elektrischen Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 773 W. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer  Verlustleistung von mehr als 1 W - IGBT-Modul"