Angaben des: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate (sog. Wafer), welche mit Eisen oder Silicium dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Befund: Verschiedene Erzeugnisse der chemischen Industrie: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert: andere.

AV 1 / AV 6 ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 02.0 / ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 03.0 / ErlKN Pos 3818 (HS) RZ 04.0