SiC - Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus miteinander elektrisch verschalteten Silizium-Carbid-Transistoren und   Schutzdioden in einem gemeinsamen Modulgehäuse mit elektrischen   Anschlüssen sowie passiver Wasserkühlung, - mit einer Verlustleistung von 634 Watt (Drain power dissipation). "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlust-   leistung von mehr als 1 W"

AV 1 / AV 6 Anm 12 a) 1) Kap 85 / Anm 12 Abs 2 Kap 85