IGBT-Modul (Abbildung siehe Anlage), - aus mehreren Insulated Gate Bipolar Transistoren, jeweils in antiparalleler   Schaltung mit Freilaufdiode in einem gemeinsamen sowie einer zusätzlichen   Diode zur Temperaturmessung in einem Modulgehäuse mit elektrischen   Anschlüssen, - mit einer Verlustleistung von 1.000 Watt. "Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer Verlustleistung  von mehr als 1 W - IGBT-Modul"

AV 1 / AV 6 Anm 12 a) 1) Kap 85 / Anm 12 Abs 2 Kap 85