Dynamischer, synchroner Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter DRAM) - in CMOS-Technik hergestellt, - in Form einer digitalen monolithischen integrierten Schaltung, - in einem TSOP(II)-Gehäuse mit 54 Anschlüssen, - mit einer Speicherkapazität von 128 Mbit (2M x 16 Bit x 4). "Elektronische integrierte Schaltung, Speicher, monolithische integrierte Schaltung, dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter dynamischer RAM, DRAM) mit einer Speicherkapazität von 512 Mbit oder weniger"

AV 1 AV 6 Anm 8 b) 1) Kap 85 Anm 8 Abs 2 Kap 85