Oblea de silicio dopado con boro, con forma cuadrada de tres décimas de milímetro de espesor. Se obtiene de la fusión del silicio puro dopado con una pequeña cantidad de boro. En el proceso de fabricación se pueden obtener obleas monocristalinas o policristalinas. Este elemento se somete posteriormente al dopado de fósforo y la grabación de circuitos para la obtención de dispositivos semiconductores fotosensibles.

RGI 1 y 6, Nota 8 del Capítulo 28 y por el texto de los códigos NC 3818 y 38180010. Código TARIC 3818001000.