DEBTI23327/25-1Actif
8541.29.00.00
DE-10 oct. 2025→9 oct. 2028
IGBT - Modul (Abbildung siehe Anlage),
- mit sechs Insulated Gate Bipolar Transistoren in Chipform, jeweils in
antiparalleler Schaltung mit Freilaufdioden, zusätzlichen Schutzdioden
sowie gespiegelten Emitteranschlüssen, in einem gemeinsamen Modul-
gehäuse mit elektrischen Anschlüssen,
- mit einer Verlustleistung von 773 W.
"Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer
Verlustleistung von mehr als 1 W - IGBT-Modul"