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CIRCUIT INTEGRE ELECTRONIQUE SE PRESENTANT SOUS LA FORME D'UN IMPLANT ELECTRONIQUE FONCTIONNANT PAR RADIOFREQUENCE CONDITIONNE DANS UNE AIGUILLE AVEC OU SANS IMPLANTEUR. L'IMPLANT PERMET L'IDENTIFICATION ELECTRONIQUE DES ANIMAUX. LE CIRCUIT INTEGRE DISPOSE D'UNE MEMOIRE DE 256 KB CONTENANT UN CODE NUMERIQUE A 15 CARACTERES. IL S'AGIT D'UN CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE DANS LEQUEL LES ELEMENTS DU CIRCUIT SONT CREES DANS LA MASSE ET A LA SURFACE D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR FORMANT UN TOUT INDISSOCIABLE. LA MEMOIRE EST A LECTURE EXCLUSIVEMENT, EFFACABLE ELECTRIQUEMENT ET PROGRAMMABLE (E²PROMs).

Circuit intégré électronique de mémoire informatique PROM effaçable. La mémoire morte est utilisée pour enregistrer des informations quand l'appareil qui les contient fait face à une coupure d'électricité. Cette mémoire ne peut être programmée qu'une fois. Capacité de la mémorisation de 64 Mb.

CIRCUITS INTEGRES CONSISTANT EN DES MEMOIRES SRAM DESTINEES A ETRE INTEGREES DANS LE MONTAGE D'APPAREILS ELECTROMENAGERS. TENSION D'ALIMENTATION: ENTRE 2 ET 5.5 V SRAM (BYTES): 128 MEMOIRE FLASH: 4 KB CES CIRCUITS INTEGRES SONT PRESENTES EN BANDE DE 12 mm ET BOBINE DE DIAMETRE 330 mm.

Puce électronique de traçabilité (Flash E²PROMs). Sa capacité de stockage est de 1 024 bits. Elle permet d’assurer l’authentification et la traçabilité (gestion des numéros de production) des produits. Applications : identification des accessoires/PCB, stockage de données de calibrage de capteurs médicaux, calibrage du capteur analogique incluant IEEE P1451.4 capteurs intelligents, identification de la cartouche d'impression encre et toner, et gestion post-marché des consommable.

MEMOIRE NON VOLATILE DE TYPE MAGNETO-RESISTIVE (MRAM) SOUS FORME DE CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE COMPRENANT NOTAMMENT LES COMPOSANTS SUIVANT: SILICIUM, MATERIAUX MAGNETIQUES, CONDUCTEURS ELECTRIQUES, ISOLANTS. LA MEMOIRE MRAM STOCKE LES DONNEES EN UTILISANT DES CHARGES MAGNETIQUES, GRACE AU PHENOMENE DE RESISTANCE MAGNETIQUE QUI CONSISTE DANS LE CHANGEMENT DES PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN MATERIAU EN FONCTION DU CHAMP MAGNETIQUE AUQUEL IL EST SOUMIS. ELLE EST CONSTITUEE DE PLAQUES DE SILICIUM SUR LESQUELLES UN DEPOT MAGNETIQUE EST DEPOSE AVEC MISE EN PLACE D'UNE INTERFACE PAR DIFFERENTS PROCEDES. LES DONNEES SONT STOCKEES GRACE A LA POLARISATION MAGNETIQUE D'UN FILM MINCE D'UN MATERIAU MAGNETIQUE, INTEGRE AVEC UN CIRCUIT LOGIQUE AFIN DE CONSTITUER UNE MEMOIRE COMPLETE. LES MEMOIRES MRAM SONT NON VOLATILES AVEC DES VITESSES EQUIVALENTES A CELLES DES DRAM ET DES SRAM. CES MEMOIRES NE PEUVENT PAS ETRE UTILISEES EN L'ETAT.