Recherche douanière

FOUR PRODUISANT DES LINGOTS DE SILICIUM DE 12KG UTILISES POUR LA FABRICATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES. FONCTIONNEMENT : LE SILICIUM PLACE DANS UN CREUZET EN QUARTZ EST CHAUFFE ET FONDU A UNE TEMPERATURE DE 1500°C. PUIS LA TEMPERATURE DES DEUX ZONES DE CHAUFFAGE EST DIMINUE LENTEMENT AFIN DE SOLIDIFIER LE BAIN FONDU A PARTIR DU FOND DU CREUZET. LORSQUE LE BAIN EST SOLIDIFIE, LE FOUR EST REFROIDI POUR REVENIR A TEMPERATURE AMBIANTE. LE LINGOT DE SILICIUM EST ENFIN SORTI DU FOUR. LE FOUR EST CONSTITUE DES ELEMENTS SUIVANTS : UNE CHAMBRE EN ACIER INOXYDABLE A DOUBLE PAROI REFROIDIE A L'EAU (DIAMETRE : 0.6M, HAUTEUR : 1M), UN CHASSIS SUPPORTANT LA CHAMBRE, UN ELEVATEUR POUR OUVRIR ET FERMER LA CHAMBRE, UNE STATION DE POMPAGE ET DE IRCULATION D'ARGON, UN SYSTEME DE CHAUFFAGE INDUCTIF (GENERATEUR MOYENNE FREQUENCE DE 20KW, SUSCEPTEUR EN GRAPHITE ET BOBINE PLATE D'INDUCTION) QUI SERT AUSSI D'ECHANGEUR THERMIQUE POUR LE REFROIDISSEMENT, UN SYSTEME DE CHAUFFAGE RESISTIF (ALIMENTATION EN COURANT CONTINU DE 20KW, RESISTANCE EN GRAPHITE), UNE ISOLATION EN GRAPHITE ET UN SYSTEME DE COMMANDE COMPRENANT UN ORDINATEUR, DEUX REGULATEURS/PROGRAMMEURS DE TEMPERATURE ET UN LOGICIEL.

Implanteur ionique, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. Il comprend principalement un terminal (alimentations de puissance, source ionique, boite à gaz et analyseur de faisceau ), une ligne de faisceau (optique ionique, scanners), une chambre de process (chambre d’implantation, station de transfert), une interface utilisateur (écran tactile, oscilloscope,…). Dimensions : 8 x 4.50 x 3 M.

Implanteur ionique à courant moyen, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. Il comprend principalement : - Un terminal comprenant alimentation, source d'ions, boîte à gaz et analyseur de faisceau ; - Une ligne de faisceau comprenant des optiques de faisceau et des scanners ; - Une station terminale comprenant une chambre de traitement et un système de manutention ; - Une interface utilisateur écran tactile, oscilloscope, … Dimensions : 8.00 x 4.00 x 4.00 m.

Implanteur ionique, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. L'outil est divisé en trois modules : - Terminal comprenant alimentation, source d'ions, boîte à gaz et analyseur de faisceau - Ligne de faisceau comprenant l'optique du faisceau, les scanners et le contrôle principal - Station terminale comprenant une chambre d'implant et un système de manipulation. Dimensions : 4.00 x 3.00 x 2.50 M.

Implanteur ionique, qui sert à implanter des atomes dans des plaques de silicium dans l'industrie des semi-conducteurs. Il est divisé en quatre modules distincts : - Module de processus - Module de distribution de gaz - Module électrique - Système de chargement (en option) - Système de refroidissement (en option). Dimensions : 3.00 x 2.00 x 3.00 M.