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APPAREIL D’IMPLANTATION IONIQUE UTILISÉ POUR IMPLANTER DES DOPANTS DANS UN « WAFER »(PLAQUETTE, DISQUE DE MATÉRIAUX SEMI CONDUCTEUR). CET APPAREIL EST ÉQUIPÉ DE TROIS MODULES PRINCIPAUX : - LE TERMINAL : ALIMENTATIONS, SOURCE IONIQUE, CABINET DE GAZ ET SÉPARATEUR DE MASSE. - LA LIGNE DE FAISCEAU : OPTIQUE IONIQUE, SYSTÈME DE BALAYAGE ET CONTRÔLE COMMANDE. - LA END STATION : CHAMBRE DE PROCESS ET SYSTÈME DE CHARGEMENT. L’IMPLANTEUR EST ÉQUIPÉ D’UNE TOUR AUTONOME COMPRENANT UN ÉCRAN TACTILE POUR LA GESTION ENTRE AUTRE DU FAISCEAU IONIQUE, LA SAUVEGARDE DE DONNÉES, L’IMPRESSION... UNE STATION DE REFROIDISSEMENT EST FOURNIE POUR PERMETTRE UN REFROIDISSEMENT RAPIDE DU SUBSTRAT PROCESSE. L’IMPLANTEUR EST IDENTIFIÉ AVEC UNE PLAQUE D’IMMATRICULATION GRAVÉE CE.

Appareil sécheur pour le traitement de plaques pour l’industrie des semi-conducteurs et de la biologie. Il est utilisé principalement pour le séchage des tranches de silicium pour les circuits fragiles semi-conducteurs. Fonctionnement : Après introduction des tranches de silicium dans la chambre de traitement de l'appareil (remplie d'alcool), du CO2 liquide est injecté (le CO2 étant miscible dans l'alcool); l'appareil opère ensuite un changement de pression et de température, l'alcool et l'eau sont vaporisés, et les tranches de silicium séchées. Il comporte un écran LCD tactile. Il est livré avec un tuyau en acier flexible pour l'alimentation en CO2, des joints de rechange, un système de filtration externe, des tubes d'échappement, un débitmètre, des lampes pour la chambre, des fusibles et un manuel utilisateur. Dimensions : 38X33.5X50.8cm.

ÉQUIPEMENT DE DOPAGE DESTINE A LA FABRICATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS ÉLECTRONIQUES. IL S'AGIT D'UN APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE SERVANT A INTRODUIRE LES DOPANTS DANS LA STRUCTURE CRISTALLINE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE SOUS LA FORME D'UN FAISCEAU D'IONS ACCÉLÉRÉS. IL EST DOTE D'UN ROBOT DE CHARGEMENT AFIN D'ACCROITRE LA CAPACITÉ DE TRAITEMENT A L'HEURE.

EQUIPEMENT DE DOPAGE DESTINE A LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR OU DE CIRCUITS INTEGRES ELECTRONIQUES (FONCTION PRINCIPALE) OU A LA MODIFICATION DE SURFACE DES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES, OPTIQUES OU MECANIQUES DE MATERIAUX. IL S'AGIT D'UN APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE SERVANT A INTRODUIRE LES DOPANTS DANS LA STRUCTURE CRISTALLINE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE SOUS LA FORME D'UN FAISCEAU D'IONS ACCELERES. POIDS : 2500KG ENVIRON. DIMENSIONS : 1.12X3.03X2.3M ENVIRON.

MACHINE SERVANT A LA FABRICATION DE MICRO-COMPOSANTS (PRODUITS SEMI-FINIS) SE PRESENTANT COMME IMPRIMANTE A SYSTEME D'IMPRESSION A JET D'ENCRE MULTIMATERIAUX MUNIE DE DEUX TETES D'IMPRESSION ET POUVANT ALLER JUSQU'A QUATRE POUR IMPRIMER AVEC UNE PRECISION DE +/- 1.5µm. ELLE EST DESTINEE A DES CHERCHEURS POUR DES TRAVAUX DE RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT AVANCES ET EST UTILISABLE POUR LA FABRICATION . ELLE PERMET L'EMBARQUEMENT D'UN SYSTEME DE POST-PROCESS AUTOMATISE (SECHAGE IR, TRAITEMENT UV). CET ARTICLE EST COMPOSE DE 5 SOUS-PARTIES PRINCIPALES : UNE PARTIE FONCTIONNELLE (LES TETES JET D'ENCRE), UNE PARTIE POSITIONNEMENT (UNE TABLE X, Y, Z ET 2 THETA), UNE PARTIE FLUIDIQUE ET PNEUMATIQUE, UNE PARTIE ELECTRONIQUE DE CONTROLE, ET UNE PARTIE LOGICIELLE. LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION OBTENUE EST ENTIEREMENT NUMERIQUE (DIGITALE). LE SYSTEME PERMET DE DEPOSER UNE GAMME D'ENCRES DEDIEES A L'ELECTRONIQUE IMPRIMEE SUR DIFFERENTS TYPES DE SUBSTRATS (PAPIER, VERRE, CERAMIQUE ET SILICIUM). ELLE DISPOSE D'OPTIONS TELLES QU'UN REFLECTOMETRE LASER POUR LA MESURE D'EPAISSEUR ET LA RECONSTRUCTION 3D DES COUCHES IMPRIMEES.