APPAREIL D’IMPLANTATION IONIQUE UTILISÉ POUR IMPLANTER DES DOPANTS DANS UN « WAFER »(PLAQUETTE, DISQUE DE MATÉRIAUX SEMI CONDUCTEUR). CET APPAREIL EST ÉQUIPÉ DE TROIS MODULES PRINCIPAUX : - LE TERMINAL : ALIMENTATIONS, SOURCE IONIQUE, CABINET DE GAZ ET SÉPARATEUR DE MASSE. - LA LIGNE DE FAISCEAU : OPTIQUE IONIQUE, SYSTÈME DE BALAYAGE ET CONTRÔLE COMMANDE. - LA END STATION : CHAMBRE DE PROCESS ET SYSTÈME DE CHARGEMENT. L’IMPLANTEUR EST ÉQUIPÉ D’UNE TOUR AUTONOME COMPRENANT UN ÉCRAN TACTILE POUR LA GESTION ENTRE AUTRE DU FAISCEAU IONIQUE, LA SAUVEGARDE DE DONNÉES, L’IMPRESSION... UNE STATION DE REFROIDISSEMENT EST FOURNIE POUR PERMETTRE UN REFROIDISSEMENT RAPIDE DU SUBSTRAT PROCESSE. L’IMPLANTEUR EST IDENTIFIÉ AVEC UNE PLAQUE D’IMMATRICULATION GRAVÉE CE.

Règles générales 1 et 6 : le classement est déterminé par les notes de section et de chapitre, ainsi que par le libellé de position, de sous-position et de code NC 8486, 848620, 84862090. NESH du 8486 point B.2.b) : Les appareils d’implantation ionique servant à «introduire» les dopants dans la structure cristalline de la surface de la plaquette sous la forme d’un faisceau d’ions accélérés.