Recherche douanière

Modèle en résine pour moule se présentant sous la forme d’un prototype d'échantillon réalisé par impression 3d en résine. Ce modèle est destiné à être placé dans un moule en plâtre puis brulé afin de réaliser un moule pour la bijouterie (le vide ainsi créé sera rempli d'alliage 9K en fusion). La technique utilisée se rapproche de la technique dite de la cire perdue (ici la résine remplace la cire).

APPAREIL D’IMPLANTATION IONIQUE UTILISÉ POUR IMPLANTER DES DOPANTS DANS UN « WAFER »(PLAQUETTE, DISQUE DE MATÉRIAUX SEMI CONDUCTEUR). CET APPAREIL EST ÉQUIPÉ DE TROIS MODULES PRINCIPAUX : - LE TERMINAL : ALIMENTATIONS, SOURCE IONIQUE, CABINET DE GAZ ET SÉPARATEUR DE MASSE. - LA LIGNE DE FAISCEAU : OPTIQUE IONIQUE, SYSTÈME DE BALAYAGE ET CONTRÔLE COMMANDE. - LA END STATION : CHAMBRE DE PROCESS ET SYSTÈME DE CHARGEMENT. L’IMPLANTEUR EST ÉQUIPÉ D’UNE TOUR AUTONOME COMPRENANT UN ÉCRAN TACTILE POUR LA GESTION ENTRE AUTRE DU FAISCEAU IONIQUE, LA SAUVEGARDE DE DONNÉES, L’IMPRESSION... UNE STATION DE REFROIDISSEMENT EST FOURNIE POUR PERMETTRE UN REFROIDISSEMENT RAPIDE DU SUBSTRAT PROCESSE. L’IMPLANTEUR EST IDENTIFIÉ AVEC UNE PLAQUE D’IMMATRICULATION GRAVÉE CE.

Appareil sécheur pour le traitement de plaques pour l’industrie des semi-conducteurs et de la biologie. Il est utilisé principalement pour le séchage des tranches de silicium pour les circuits fragiles semi-conducteurs. Fonctionnement : Après introduction des tranches de silicium dans la chambre de traitement de l'appareil (remplie d'alcool), du CO2 liquide est injecté (le CO2 étant miscible dans l'alcool); l'appareil opère ensuite un changement de pression et de température, l'alcool et l'eau sont vaporisés, et les tranches de silicium séchées. Il comporte un écran LCD tactile. Il est livré avec un tuyau en acier flexible pour l'alimentation en CO2, des joints de rechange, un système de filtration externe, des tubes d'échappement, un débitmètre, des lampes pour la chambre, des fusibles et un manuel utilisateur. Dimensions : 38X33.5X50.8cm.

ÉQUIPEMENT DE DOPAGE DESTINE A LA FABRICATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS ÉLECTRONIQUES. IL S'AGIT D'UN APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE SERVANT A INTRODUIRE LES DOPANTS DANS LA STRUCTURE CRISTALLINE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE SOUS LA FORME D'UN FAISCEAU D'IONS ACCÉLÉRÉS. IL EST DOTE D'UN ROBOT DE CHARGEMENT AFIN D'ACCROITRE LA CAPACITÉ DE TRAITEMENT A L'HEURE.

EQUIPEMENT DE DOPAGE DESTINE A LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR OU DE CIRCUITS INTEGRES ELECTRONIQUES (FONCTION PRINCIPALE) OU A LA MODIFICATION DE SURFACE DES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES, OPTIQUES OU MECANIQUES DE MATERIAUX. IL S'AGIT D'UN APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE SERVANT A INTRODUIRE LES DOPANTS DANS LA STRUCTURE CRISTALLINE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE SOUS LA FORME D'UN FAISCEAU D'IONS ACCELERES. POIDS : 2500KG ENVIRON. DIMENSIONS : 1.12X3.03X2.3M ENVIRON.