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3C003

Électronique

Catégorie 3Groupe CWassenaar Arrangement

Description

Cette catégorie couvre les composés organo-inorganiques utilisés comme précurseurs dans la fabrication de semi-conducteurs, notamment les composés organométalliques d’aluminium, de gallium ou d’indium, ainsi que les composés organiques de l’arsenic, de l’antimoine ou du phosphore. Ces produits sont essentiels pour les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD/MOCVD) dans l’industrie microélectronique.

Sous-entrees (2)

3C003.a

Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having all of the following:

3C003.b

Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having all of the following:

Exemples de produits

Triméthylgallium (TMGa) pour MOCVD
Triméthylaluminium (TMA) utilisé dans la croissance épitaxiale
Triéthylindium (TEIn) pour dépôt de couches minces
Triméthylarsine (TMAs) pour fabrication de GaAs
Triéthylphosphine (TEP) pour dépôt de composés III-V

Note de decontrole

Les précurseurs standards pour applications industrielles non destinés à la fabrication de dispositifs électroniques avancés peuvent être exemptés sous conditions.

Codes douaniers CN associes (indicatif)

29310095 28256000 28539010

Notes applicables

Note Générale sur la Technologie (NGT)

L'exportation de 'technologie' 'nécessaire' au 'développement', à la 'production' ou à l''utilisation' d'articles contrôlés dans les catégories 0 à 9 est contrôlée conformément aux dispositions de cha...

Note Générale sur les Logiciels (NGL)

Les Listes ne contrôlent pas les 'logiciels' qui sont : 1. Généralement accessibles au public du fait qu'ils sont : a. Vendus sans restriction à partir de points de vente au détail, par l'un des moyen...

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Voir aussi

Nomenclature douanière

25 000+ codes

Guide de classement

1 095 HS4