Catégorie 3 - Électronique

Composants electroniques, y compris les circuits integres a usage general (microprocesseurs, FPGA, ADC, DAC), les composants a semi-conducteurs composes (GaAs, GaN, InP), les circuits integres durcis aux radiations, et les circuits integres neuromorphiques. Les seuils de controle portent sur la dose de radiation, la vitesse de traitement, le nombre de portes logiques et la frequence d'echantillonnage.

175 sous-entrées

Equipements electroniques a usage general, y compris les enregistreurs a bande magnetique (analogiques >4 MHz/canal, numeriques >360 Mbit/s), les generateurs de signaux, les oscilloscopes, les analyseurs de spectre et les synthetiseurs de frequence. Les seuils de controle portent sur la bande passante, le debit et la frequence de sortie.

48 sous-entrées

Ce code vise les systèmes de gestion thermique par refroidissement par pulvérisation, conçus pour maintenir la température de composants électroniques sensibles. Ces systèmes utilisent un fluide diélectrique pulvérisé via des buses spéciales dans un boîtier étanche, ainsi que les composants spécialement conçus pour ces dispositifs. Ils sont essentiels pour la fiabilité des équipements électroniques haute performance, notamment dans les centres de données et applications militaires.

Ce code contrôle certains équipements électroniques utilisés dans les systèmes de missiles, notamment les convertisseurs analogique-numérique (CAN) répondant à des spécifications militaires et les accélérateurs capables de générer des rayonnements électromagnétiques de haute énergie. Ces dispositifs sont essentiels pour la navigation, le guidage ou la génération de signaux dans les applications aérospatiales et de défense.

2 sous-entrées

Ce code vise les batteries thermiques conçues ou modifiées pour être utilisées dans les missiles. Ces batteries fournissent une alimentation électrique instantanée et fiable, même dans des conditions extrêmes, et sont essentielles pour l’activation des systèmes électroniques embarqués dans les missiles.

Ce code couvre certains composants électroniques avancés pouvant être utilisés dans les installations nucléaires, notamment des condensateurs à haute tension et grande capacité, des électroaimants supraconducteurs puissants, et des générateurs de rayons X à impulsions. Ces composants sont essentiels pour la recherche nucléaire, la production d'énergie ou les applications médicales avancées, et leur exportation est soumise à des contrôles stricts du Groupe des fournisseurs nucléaires (NSG).

7 sous-entrées

Cette entrée concerne les convertisseurs de fréquence ou générateurs capables de fournir une puissance de sortie multiphasée d'au moins 40 VA, fonctionnant à une fréquence de 600 Hz ou plus, avec une précision de contrôle de fréquence supérieure à 0,2 %. Ces équipements sont utilisés pour piloter des moteurs électriques à fréquence variable ou fixe dans des environnements industriels ou de recherche sensibles, notamment dans le domaine nucléaire. Leur contrôle vise à empêcher leur utilisation dans des applications nucléaires non autorisées, conformément aux recommandations du Groupe des fournisseurs nucléaires (NSG).

Cette entrée vise les alimentations électriques à courant continu de haute puissance capables de délivrer en continu, pendant au moins 8 heures, une tension de 100 V ou plus et un courant de 500 A ou plus, avec une stabilité de courant ou de tension supérieure à 0,1 %. Ces équipements sont essentiels dans les installations industrielles lourdes et les laboratoires de recherche, notamment pour des applications nucléaires sensibles. Leur contrôle s'inscrit dans le cadre des engagements du NSG afin de prévenir leur détournement vers des programmes nucléaires non autorisés.

Cette entrée concerne les alimentations à courant continu à haute tension capables de fournir en continu, pendant au moins 8 heures, une tension de 20 kV ou plus avec un courant de 1 A ou plus, et une stabilité de courant ou de tension supérieure à 0,1 %. Ces équipements sont utilisés dans des applications scientifiques, industrielles ou nucléaires nécessitant une alimentation stable et puissante. Leur contrôle vise à éviter leur utilisation dans des programmes nucléaires non autorisés, conformément aux règles du NSG.

Cette entrée vise les dispositifs de commutation rapide tels que les tubes à cathode froide, les éclateurs déclenchés et les modules de commutation, capables de supporter des tensions et courants élevés avec des temps de réponse très courts. Ces composants sont essentiels dans les systèmes nécessitant des impulsions électriques puissantes et rapides, notamment dans les applications nucléaires, militaires ou de recherche avancée. Leur exportation est strictement contrôlée pour éviter leur utilisation dans des dispositifs de déclenchement d'explosifs ou d'autres applications sensibles.

3 sous-entrées

Cette entrée concerne les générateurs d'impulsions à courant élevé, notamment les systèmes d'amorçage de détonateurs, les générateurs d'impulsions modulaires portables et les micro-unités d'amorçage. Ces équipements sont capables de délivrer des courants très élevés en un temps très court, et sont utilisés pour déclencher simultanément plusieurs détonateurs ou pour des applications nécessitant des impulsions électriques précises et puissantes. Leur contrôle vise à prévenir leur utilisation dans des dispositifs explosifs ou des applications nucléaires sensibles, conformément aux règles du NSG.

3 sous-entrées

Cette entrée concerne les générateurs d'impulsions à grande vitesse et leurs têtes d'impulsion, capables de délivrer une tension de sortie supérieure à 6 V sur une charge résistive inférieure à 55 ohms, avec un temps de transition d'impulsion inférieur à 500 picosecondes. Ces équipements sont essentiels pour des applications nécessitant des signaux électriques ultra-rapides, notamment dans le domaine nucléaire pour le déclenchement précis d'expériences ou de dispositifs. Leur contrôle vise à limiter leur utilisation dans des contextes sensibles, notamment pour la recherche nucléaire.

Ce code contrôle les systèmes générateurs de neutrons, y compris les tubes, conçus pour fonctionner sans système de vide externe et utilisant l'accélération électrostatique pour provoquer des réactions nucléaires tritium-deutérium ou deutérium-deutérium. Ces équipements sont capables de produire un flux de neutrons élevé, ce qui les rend sensibles pour des applications nucléaires, notamment dans la recherche ou la production de matériaux fissiles.

Cette entrée vise les systèmes d’initiation multipoints, autres que ceux déjà couverts par 1A007, capables de déclencher quasi simultanément une surface explosive supérieure à 5 000 mm² à partir d’un seul signal, avec une dispersion temporelle inférieure à 2,5 microsecondes. Ces dispositifs sont essentiels pour assurer une explosion uniforme, notamment dans le domaine nucléaire ou militaire.

2 sous-entrées

Ce code concerne les spectromètres de masse capables de mesurer des ions de masse atomique supérieure ou égale à 230 u avec une résolution élevée, ainsi que leurs sources d’ions. Ces instruments, tels que les ICP/MS, GDMS, TIMS ou spectromètres à bombardement électronique, sont utilisés pour l’analyse précise d’éléments lourds, notamment les actinides, dans des contextes nucléaires sensibles.

6 sous-entrées

Cette entrée vise les striplines, conducteurs plats permettant d’acheminer des impulsions électriques à faible inductance vers des détonateurs, avec une tension supérieure à 2 kV et une inductance inférieure à 20 nH. Ces composants sont utilisés pour garantir une transmission rapide et fiable du signal de mise à feu dans des applications explosives sensibles, notamment dans le secteur nucléaire.

Cette entrée contrôle les équipements et matériaux avancés utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs, notamment les machines de croissance épitaxiale, les équipements d’implantation ionique, les systèmes de lithographie de haute précision (y compris EUV), ainsi que les masques et substrats spécialisés. Ces équipements permettent la production de circuits intégrés à géométrie fine, essentiels pour l’industrie microélectronique de pointe.

23 sous-entrées

Cette catégorie vise les équipements de test spécialement conçus pour l’analyse des dispositifs semi-conducteurs, qu’ils soient finis ou non. Il s’agit notamment d’appareils mesurant les paramètres S (S-parameters) ou d’autres caractéristiques électriques avancées, essentiels pour le contrôle qualité et la caractérisation des composants électroniques de haute performance.

3 sous-entrées

Cette position couvre les matériaux hétéro-épitaxiaux composés de substrats sur lesquels sont déposées plusieurs couches de matériaux avancés (silicium, germanium, carbure de silicium, composés III/V, oxyde de gallium ou diamant). Ces matériaux sont essentiels pour la fabrication de dispositifs électroniques et optoélectroniques à haute performance.

6 sous-entrées

Cette entrée concerne les résines photosensibles (« resists ») avancées utilisées en lithographie pour la fabrication de semi-conducteurs, notamment celles adaptées aux faisceaux d’électrons, d’ions ou aux procédés d’imprint lithography. Ces produits sont essentiels pour la définition de motifs fins sur les wafers lors de la microfabrication.

7 sous-entrées

Cette catégorie couvre les composés organo-inorganiques utilisés comme précurseurs dans la fabrication de semi-conducteurs, notamment les composés organométalliques d’aluminium, de gallium ou d’indium, ainsi que les composés organiques de l’arsenic, de l’antimoine ou du phosphore. Ces produits sont essentiels pour les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD/MOCVD) dans l’industrie microélectronique.

2 sous-entrées

Cette position contrôle les hydrures de phosphore, d’arsenic ou d’antimoine d’une pureté supérieure à 99,999 %, même lorsqu’ils sont dilués dans des gaz inertes ou de l’hydrogène. Ces produits chimiques ultra-purs sont essentiels dans la fabrication de semi-conducteurs avancés, notamment pour le dopage de matériaux électroniques. Leur exportation est strictement surveillée en raison de leur utilisation potentielle dans des technologies sensibles.

Cette position couvre les matériaux semi-conducteurs à haute résistivité, tels que le carbure de silicium, le nitrure de gallium, l’oxyde de gallium ou le diamant, sous forme de substrats, lingots ou préformes, ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20°C. Elle inclut également les substrats polycristallins avec une couche monocristalline non épitaxiée de ces matériaux. Ces matériaux sont utilisés pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance et de haute fréquence avancés.

2 sous-entrées

Cette position vise les matériaux composés d’un substrat contrôlé par 3C005, recouvert d’au moins une couche épitaxiée de carbure de silicium, de nitrure de gallium, d’oxyde de gallium, de diamant ou de composés similaires. Ces matériaux sont essentiels pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance, de transistors haute fréquence ou de composants pour l’aérospatial et la défense.

Cette position concerne les logiciels spécifiquement conçus pour le développement ou la production d’équipements électroniques avancés listés dans les rubriques 3A1.b à 3A2.h ou 3B. Ces logiciels sont essentiels pour la conception, la simulation, la fabrication ou le test de composants électroniques sensibles, tels que circuits intégrés, dispositifs à semi-conducteurs ou équipements de fabrication de puces.

Cette position vise les logiciels spécifiquement conçus pour l’utilisation d’équipements de fabrication électronique avancée, tels que ceux listés sous 3B1.a à 3B1.f ou 3B2. Ces logiciels permettent le fonctionnement, le contrôle ou l’optimisation de machines de dépôt, de gravure, de lithographie ou de test dans l’industrie des semi-conducteurs.

Ce poste concerne les logiciels de lithographie computationnelle spécifiquement conçus pour le développement de motifs sur des masques ou réticules utilisés en lithographie EUV (ultraviolet extrême). Ces logiciels permettent de simuler et d’optimiser la gravure de circuits intégrés à l’échelle nanométrique, essentiels pour la fabrication avancée de semi-conducteurs.

Ce poste vise les logiciels spécialement conçus pour le développement d’équipements électroniques avancés listés sous 3A3, tels que les générateurs de signaux, analyseurs de spectre, oscilloscopes ou autres instruments de test haute performance. Ces logiciels sont essentiels pour la conception, la simulation ou le contrôle de ces équipements sophistiqués.

Ce poste concerne les logiciels conçus pour restaurer le fonctionnement normal d’un microordinateur ou d’un microprocesseur en moins de 1 milliseconde après une perturbation par impulsion électromagnétique (EMP) ou décharge électrostatique (ESD), sans perte de continuité. Ces logiciels sont utilisés dans des systèmes critiques nécessitant une haute résilience aux perturbations électriques.

Ce poste vise les logiciels de CAO électronique (ECAD) spécifiquement conçus pour le développement de circuits intégrés utilisant la technologie GAAFET (transistor à effet de champ tout autour de la grille). Sont inclus les outils permettant la conversion RTL vers GDSII ou l’optimisation des règles de puissance ou de synchronisation, essentiels pour la conception de puces avancées.

2 sous-entrées

Ce poste concerne les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour l’utilisation d’équipements électroniques spécifiques listés sous 3A101.b, notamment ceux ayant des applications dans le domaine des missiles (MTCR). Ces logiciels permettent de piloter, surveiller ou configurer des équipements électroniques sensibles utilisés dans des systèmes de propulsion ou de guidage.

Ce poste contrôle les logiciels spécifiquement conçus pour améliorer ou libérer les performances des convertisseurs de fréquence ou des générateurs afin qu'ils atteignent les caractéristiques techniques définies au poste 3A225. Ces logiciels peuvent permettre à des équipements électroniques d’atteindre des seuils de performance critiques pour des applications nucléaires sensibles, conformément aux exigences du Groupe des fournisseurs nucléaires (NSG).

Ce poste concerne la technologie nécessaire au développement ou à la production d’équipements ou de matériaux électroniques avancés, notamment des circuits intégrés, des composants de puissance, des équipements de test ou des matériaux spécialisés listés sous 3A, 3B ou 3C. Il s’agit de savoir-faire, de procédés de fabrication, de schémas techniques ou de méthodes de test qui dépassent les technologies courantes du secteur civil.

Ce poste vise la technologie utilisée pour le développement ou la production de microprocesseurs, microcontrôleurs ou microordinateurs avancés, notamment ceux avec une unité arithmétique logique (ALU) de 32 bits ou plus et des caractéristiques telles que le traitement vectoriel, des structures multicouches spécifiques ou des capacités de calcul numérique avancées. Ces technologies sont essentielles pour la conception de circuits intégrés haute performance utilisés dans des applications sensibles.

4 sous-entrées

Ce poste contrôle la technologie nécessaire au développement ou à la production de dispositifs électroniques avancés tels que les dispositifs à vide, les dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure (HEMT, HBT), les dispositifs supraconducteurs, ainsi que les substrats spécialisés (diamant, SOI, carbure de silicium, oxyde de gallium) utilisés dans l’électronique de puissance, les télécommunications ou les applications scientifiques de pointe.

8 sous-entrées

Ce poste concerne la technologie nécessaire pour le découpage, le meulage et le polissage de tranches de silicium de 300 mm de diamètre afin d’obtenir une planéité extrême ('SFQR' ≤ 20 nm) sur des zones précises et une exclusion de bord très faible. Ces procédés sont essentiels pour la fabrication de semi-conducteurs de très haute performance, utilisés dans l’industrie électronique avancée.

Cette entrée concerne la technologie nécessaire à l'utilisation d'équipements ou de logiciels électroniques spécifiés dans les rubriques 3A001.a.1 ou 3A001.a.2, 3A101, 3A102 ou 3D101. Il s'agit par exemple de manuels techniques, de schémas de montage, ou de procédés permettant d'utiliser des convertisseurs analogique-numérique rapides ou des circuits intégrés spécialisés, souvent employés dans les systèmes de guidage de missiles ou l'aérospatiale. Ce contrôle vise à empêcher le transfert de savoir-faire pouvant contribuer à la prolifération de missiles conformément au régime MTCR.

Cette rubrique vise la technologie nécessaire au développement de logiciels spécifiés dans l'entrée 3D101. Cela inclut les méthodes de conception, les algorithmes, ou les codes sources permettant de créer ou d'améliorer des logiciels utilisés pour des équipements électroniques sensibles, notamment ceux pouvant être employés dans les systèmes de missiles ou l'aérospatiale. Le contrôle s'applique aux transferts de savoir-faire ou d'informations techniques pouvant faciliter le développement de tels logiciels.

Cette entrée concerne la technologie nécessaire à l'utilisation d'équipements électroniques spécifiques, notamment ceux utilisés dans le domaine nucléaire, tels que les convertisseurs de fréquence, détecteurs de rayonnement ou équipements de mesure de haute précision listés dans les rubriques 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, et 3A225 à 3A234. Ces technologies sont soumises à contrôle car elles peuvent être utilisées dans des installations nucléaires sensibles, conformément aux directives du Groupe des fournisseurs nucléaires (NSG).

Cette rubrique vise la technologie, sous forme de codes ou de clés, permettant d'améliorer ou de libérer les performances de convertisseurs de fréquence ou de générateurs pour atteindre les spécifications de l'entrée 3A225. Ces technologies sont particulièrement sensibles car elles peuvent optimiser des équipements utilisés dans le secteur nucléaire, notamment pour l'enrichissement de l'uranium par centrifugation, selon les critères du Groupe des fournisseurs nucléaires (NSG).