Électronique
Cette position vise les matériaux composés d’un substrat contrôlé par 3C005, recouvert d’au moins une couche épitaxiée de carbure de silicium, de nitrure de gallium, d’oxyde de gallium, de diamant ou de composés similaires. Ces matériaux sont essentiels pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance, de transistors haute fréquence ou de composants pour l’aérospatial et la défense.