Recherche douanière

Parties de machines et appareils utilisés exclusivement pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteur, se présentant sous la forme de cibles de pulvérisation cathodique. Le produit est une pièce en métal, pouvant être monobloc ou soudée sur un support permettant sa fixation dans l’équipement. La pulvérisation cathodique utilise l’énergie du plasma (gaz en partie ionisé) à la surface d’une cible (cathode) pour arracher les atomes du matériau et les déposer sur un substrat (wafer de silicium ou plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin, utilisée pour fabriquer des composant de microélectronique). La cible permet à la machine à laquelle elle est destinée de réaliser des dépôts métalliques de très faible épaisseur sur des supports divers (entrant dans la fabrication des semi-conducteurs, des composants électroniques, etc.). Les cibles se présentent sous des formes variées (ronde, rectangulaire, triangulaire,etc.) et sont composées de différents métaux ou alliages (aluminium, titane, tungstène, cuivre, etc.). Elles sont constituées d’un seul et même bloc de métal ou soudées sur un support équipé ou non de canaux de refroidissement. Des trous de fixation peuvent parfois exister.

Partie de machine de dépôt et gravure de couches minces utilisées dans l’industrie de la microélectronique consistant en un mandrin électrostatique pour le maintien en place et la thermalisation des substrats. L’appareil consiste en un disque ou un rectangle revêtu d’électrodes et d’une couche diélectrique, et fixé sur des supports en métal pouvant contenir des dispositifs de refroidissement et/ou de chauffage. Le disque est composé de céramique.

APPAREIL D’IMPLANTATION IONIQUE UTILISÉ POUR IMPLANTER DES DOPANTS DANS UN « WAFER »(PLAQUETTE, DISQUE DE MATÉRIAUX SEMI CONDUCTEUR). CET APPAREIL EST ÉQUIPÉ DE TROIS MODULES PRINCIPAUX : - LE TERMINAL : ALIMENTATIONS, SOURCE IONIQUE, CABINET DE GAZ ET SÉPARATEUR DE MASSE. - LA LIGNE DE FAISCEAU : OPTIQUE IONIQUE, SYSTÈME DE BALAYAGE ET CONTRÔLE COMMANDE. - LA END STATION : CHAMBRE DE PROCESS ET SYSTÈME DE CHARGEMENT. L’IMPLANTEUR EST ÉQUIPÉ D’UNE TOUR AUTONOME COMPRENANT UN ÉCRAN TACTILE POUR LA GESTION ENTRE AUTRE DU FAISCEAU IONIQUE, LA SAUVEGARDE DE DONNÉES, L’IMPRESSION... UNE STATION DE REFROIDISSEMENT EST FOURNIE POUR PERMETTRE UN REFROIDISSEMENT RAPIDE DU SUBSTRAT PROCESSE. L’IMPLANTEUR EST IDENTIFIÉ AVEC UNE PLAQUE D’IMMATRICULATION GRAVÉE CE.

Appareil sécheur pour le traitement de plaques pour l’industrie des semi-conducteurs et de la biologie. Il est utilisé principalement pour le séchage des tranches de silicium pour les circuits fragiles semi-conducteurs. Fonctionnement : Après introduction des tranches de silicium dans la chambre de traitement de l'appareil (remplie d'alcool), du CO2 liquide est injecté (le CO2 étant miscible dans l'alcool); l'appareil opère ensuite un changement de pression et de température, l'alcool et l'eau sont vaporisés, et les tranches de silicium séchées. Il comporte un écran LCD tactile. Il est livré avec un tuyau en acier flexible pour l'alimentation en CO2, des joints de rechange, un système de filtration externe, des tubes d'échappement, un débitmètre, des lampes pour la chambre, des fusibles et un manuel utilisateur. Dimensions : 38X33.5X50.8cm.

ÉQUIPEMENT DE DOPAGE DESTINE A LA FABRICATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS ÉLECTRONIQUES. IL S'AGIT D'UN APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE SERVANT A INTRODUIRE LES DOPANTS DANS LA STRUCTURE CRISTALLINE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE SOUS LA FORME D'UN FAISCEAU D'IONS ACCÉLÉRÉS. IL EST DOTE D'UN ROBOT DE CHARGEMENT AFIN D'ACCROITRE LA CAPACITÉ DE TRAITEMENT A L'HEURE.